Способ изготовления мдп-транзисторов

Авторы патента:

Вахтель В.М.

Гитли В.Р.

Еремин С.А.

Ивакин А.Н.

Кадменский С.Г.

Лобов И.Е.

Фетисова С.В.

Замотайлов Ю.Г.

H01L21/268 - с использованием электромагнитного излучения, например лазерного

(19)SU(11)1176777(13)A1(51) МПК ⁶ _H01L21/268(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина:

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП-БИС. Цель изобретения упрощение технологии и повышение точности подгонки. П р и м е р. Для отработки способа была изготовлена опытная партия МДП транзисторов с N-каналом. Опытные образцы были выполнены в виде N-канальных МДП-БИС по стандартной технологии с начальным пороговым напряжением U_o до 1,8 0,3 В. После формирования Al разводки на тестовом транзисторе МДП-БИС при помощи 3-х зондовой установки проводился первичный контроль начального порогового напряжения U_o. Затем структура облучалась на установке РУМ 17 рентгеновскими лучами с энергией рентгеновских квантов 20, 80 и 200 кэВ. Доза рассчитывалась исходя из необходимого U с контролем полученного порогового напряжения. U_n 0,6 В. Для стабилизации параметров полученных приборов производился кратковременный отжиг (10-15 мин) при температуре порядка 200^оС. Последующие испытания с наложением рабочих напряжений на электроды прибора и с дополнительным длительным нагревом (до 500 ч при температуре 80-100^оС) показали стабильную работу изготовленных на основе МДП транзисторов БИС.

Формула изобретения

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонки порогового напряжения, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения точности подгонки, подгонку порогового наряжения производят после формирования металлической разводки путем облучения структуры рентгеновским излучением дозой

где D доза облучения, Р;
E₃ ширина запрещенной зоны диэлектрика, эВ;

относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
m массовый коэффициент поглощения диэлектрика, см²/г;
r плотность диэлектрика, г/см³;
d толщина диэлектрика, см;
DU величина подгонки порогового напряжения, В;
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение производят при энергии рентгеновских квантов 20-200 кэВ.

Способ получения п-слоев в антимониде индия // 1149822

Способ отбора проб и устройство для его осуществления // 1149742

Способ получения п-слоев в антимониде индия // 1017122

Способ отжига полупроводниковых пластин // 880174

Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале // 677597

Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах // 676109

Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах // 631017

Способ электронно-лучевого генерирования рисунков топологии микроприборов и микросхем // 439240

Устройство для удаления поверхностных загрязнений с подложки (варианты) // 2114486

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением

Способ получения структур кремния-на-изоляторе методом зонной перекристаллизации и устройство для его осуществления // 2133520

Способ изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков // 2242063

Изобретение относится к способу изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков

Система контроля технологического процесса для лазеров, используемых в литографии // 2258253

Изобретение относится к системам контроля и, в частности, к системам контроля работы лазеров

Способ халькогенизации поверхности gaas // 2406182

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник

Способ формирования эмиттера ионов для лазерной десорбции-ионизации химических соединений // 2426191

Изобретение относится к способам создания подложек, применимых в качестве эмиттеров ионов химических соединений в аналитических приборах, предназначенных для определения состава и количества химических соединений в аналитических приборах, в частности в масс-спектрометрах и спектрометрах ионной подвижности

Способ восстановления порогового напряжения мдп-транзисторных структур после воздействия плазменных обработок // 2426192

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-транзисторных структур, технология изготовления которых предусматривает использование плазменных обработок на этапе формирования металлизации приборов

Способ получения слоя поликристаллического кремния // 2431215

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов

Способ образования на подложке упорядоченного массива наноразмерных сфероидов // 2444084

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к нелитографическим микротехнологиям формирования на подложках тонкопленочных рисунков из наносимых на ее поверхность веществ

Способ формирования топологии интегральной микросхемы // 2098885

Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч