Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАНЯЦИХ МАТРЩ НА ЦШ1ИНДРИЧЕСКИХ МАгаиТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на плетении обмоток матрицы на техно логических струнах путем пропускания провода вместе с ограничительной прокладкой через зев, образованньй разведенными технологическими струнами , перпендикулярно технологическим струнам, извлечении ограничительной прокладки при фиксированном обратном зеве, подбивке сформованного проводника к сплетенным обмоткам, заливке обмоток компаундом и извлечении технологических струн, отличающийся тем, что, с целью повьшения надежности изготовления запоминающих матриц, увеличивают yroJ зева одновременно у всех разведенных технологических струн путем перемещения ограничительной прокладки к вершине зева при фиксированном обратном зеве, устанавливают одинаковым угол зева для всех разведенных технологических струн, перемещают , проводник обмотки в зеве до касания им разведенных технологических (Л струн в вершине угла зева, а извлечение ограничительной прокладки с производят параллельно уложенному проводнику при ослабленном натяже§ нии провода. CD 00 СП о «

COOS СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (59 4 0 11 С 11/14 (21) 3745524/24-24 (22) 23.05.84 (46) 15,12.85. Бюл. 9 46 (72) Н.В.Косинов и В.N.Êóçüìåíêa (53) 681.327.66(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 489153, кл. G ll С 11/14, 1973.

Авторское свидетельство СССР

11 - 566267, кл. G ll С 11/14, 1975. (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на плетении обмоток матрицы на технологических струнах путем пропускания провода вместе с ограничительной прокладкой через зев, образованный разведенными технологическими струнами, перпендикулярно технологическим струнам, извлечении ограничительной прокладки при фиксированном обратном зеве, подбивке сфор„, Я0„„198567 A мованного проводника к сплетенным обмоткам, заливке обмоток компаундом и извлечении технологических струн, отличающийся тем, что, с целью повьппения надежности изготовления запоминающих матриц, увеличивают угон зева одновременно у всех разведенных технологических струн путем перемещения ограничительной прокладки к вершине зева при фиксированном обратном зеве, устанавливают одинаковым угол зева для всех разведенных технологических струн, перемещают проводник обмотки в зеве до касания им разведенных технологических струн в вершине угла зева, а извлечение ограничительной прокладки производят параллельно уложенному проводнику при ослабленном натяжении провода.

11 98567 2

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках ЦИХ ).

Целью изобретения является повышение надежности изготовления запоминающих матриц.

На фиг. 1 показано прокладывание первых витков в зеве перпендикулярно технологическим струнам и увеличение угла зева разведенных технологических струн путем смещения ограничительной прокладки к вершине зева при фиксированном обратном зеве, на фиг. 2 — расположение проводника обмотки в зеве с касанием его струн в вершине угла зева.

Способ изготовления матриц ЗУ на ?ЩП осуществляют следующим образом.

В образованный технологическими струнами 1 и 2 зев вводят провод 3 вместе с ограничительной прокладкой

4 и укладывают его по линии формовки перпендикулярно технологическим . струнам 1 и 2. Ограничительную прокладку 4 для удобства ее перемещения в зеве выполняют в форме бумеранга. При регулировании зева технологические струны 1 и 2 опираются на ограничительную прокладку 4, зажимают ее,оставляя провод 3 в свободном состоянии. Путем перемещения ограничительной прокладки 4 к вершине зева параллельно самой себе увеличивают угол зевау всех разведенных технологических струн 1 и 2, Величину перемещения ограничительной прокладки 4 к вершине зева выбирают такой, чтобы петли провода, образуемые по краям полотна, были минимальными и обеспечивали охват крайних струн, Для обеспечения одинаковых условий формовки провода 3 устанавливают одинаковым увеличенный угол зева для всех разведенных технологических струн 1 и 2, располагая прокладку 4 перпендикулярно технологическим струнам 1 и 2. Провод

3 перемещают в увеличенном зеве в направлении вершины угла зева до касания им разведенных технологических струн 1 и 2 в вершине угла зева. Перемещение провода до касания им технологических струн в вершине зева максимально приближает зону формовки провода к полотну

55 и исключает в то же время зажатие провода в момент его формовки, что не препятствует перемещению провода в зону формовки для создания необходимого избытка провода при придании ему зигзагообразной формы. Такая укладка провода обеспечивает одинаковые условия формовки первых витков обмотки, что является необходимым условием для фиксации струн в их нейтральном положении. При этом за счет того, что провод 3 максимально приближен к вершине угла зева не происходит также увеличение глубины формовки витков обмотки.

За счет укладки провода к вершине угла зева до касания им технологических струн и расположения его перпендикулярно технологическим струнам условия формовки четных и нечетных витков провода 3 оказываются . одинаковыми по всей длине укладки провода 3. Это приводит к полной компенсации давлений, оказываемых на струны четными и нечетными витками обмоток.

При извлечении ограничительной прокладки 4 в сторону свободного конца провода технологические струны 1 и 2 сходят c кромки прокладки 4 и производят формовку провода, уложенного в зеве, Направление извлечения ограничительной прокладки выдерживают параллельным уложенному в зеве проводу. При извлечении ограничительной прокладки ослабляют натяжение провода. Все это исключает зажатие несформованной части провода в зеве и обеспечивает. свободный доступ к месту формовки для выполнения длины провода, необходимой для придания ему зигзагообразной формы. Затем производят перемещение сформованного проводника, сгибающего технологические струны

1 и 2, к сплетенным обмоткам, последующую заливку матриц компаундом и извлечение технологических струн.

Технологические струны 1 и 2 наиболее подвержены отклонению от нейтрального положения при плетении первых витков обмотки, поскольку в этот период они недостаточно жестко связаны между собой малым количеством витков провода 3. Вплетенные описанным способом первые витки матрицы жестко удерживают техноСоставитель 10, Розенталь

Редактор Н.Швыдкая Техред А. Бойко Корректор И.Муска

Заказ 7724/50 Тираж 583 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 логические струны в их нейтральном положении в самом начале процесса плетения, и при плетении последующих обмоток матрицы не по зволяют отклоняться технологическим струнам 1 и 2 от их нейтрального положения. Вплетение первых четырех-шести витков предложенным способом является достаточным для жесткой фиксации струн 1 и 2 в их нейтральном положении.

Таким образом, условия формовки проводников сохраняются одинако1198567 4 выми для четных и нечетных витков, технологические струны не отклоняются от их нейтрального положения, сохраняются геометрические размеры матрицы, улучшается процесс извлечения техноло.ических струн, исключаются обрывы проводников за счет уменьшения напряжений в матрице при сохранении геометрических

1п размеров ее, улучшается процесс последующей установки стержней с ЦМП в каналы, образованные, извлеченными технологическими струнами.

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх