Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната
СВОЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
„.SU„„220394 (51) 5 С 30 В 15/00, 29/28
ЖСУДАРСТ8ЕККЬЙ КОМИТЕТ СССР
ГЮ ДЕЛАМ ИЭОБРЕТЕКИЙ И ОТКРЫТИЙ
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 15.01,92. Бюл. Р 2 (21,) 3743036/26 (22) 18.05.84 (72) И,А.Иванов, 10.Л.Бабокин и А.М.Бульканов (53) 621.315.592(088.8) (56) Патент Японии Ф 54 -150377, кл. 13/7, 1979.
Патент ФРГ Ф 3013045, кл. С 30 В 29/28, 1980.
Авторское свидетельство СССР
В 1039256, кл. С 30 В 15/00, 1981. (54) (57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ NOHOKPHCТАЛЛОВ ГАДОЛИНИЙ-ГАЛЛИЕ БОГО ГРАНАТА, включающий расппавление шихты, эатравление на вращающуюся затравку, вытягивание из расплава конической части крис алла со скоростью враще.ния затравки 25-35 об/мин до изменения формы фронта кристалла с островыпуклого на плавновыпуклый, вытя гивание цилиндрической части кристалла с постоянной скоростью в атмосфере инертного газа, содержащего кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных монокристаллов диаметром
80 мм путем уменьшения длины кони ческой части кристалла, после изменения формы фронта кристаллизации.скорость вращения затравки уменьшают по закону W,, = Ъ - йС до вы» хода кристалла на цилиндр, где искорость вращения затравки при затравливании, t — время роста конической части кристалла от изменения формы фронта кристаллизации до выхода на цилиндр:
Ь = 0,058 об/мин ° п 0,75 - при W =. 25,5 об/мин, L = 0,080 об/мин"", п " 0,80 при W 30 o6/èèí, L = 0,110 об/мин "+", и 0,89 при W = 35 o6/èèí.
1 12203
Изобретение относится к технологии получения изолирующих подложечных материалов и может быть использовано в электронной, цветной и химической промышленностях. 5
Целью изобретения является увеличение выхода годных монокристаллов путем уменьшения длины конической части кристалла.
Пример 1. В тигель загру- !О шают шихту - смесь окислов галлия и гадолиния в соотношении 53,92 мас.X
Cd 0 + 46,08 мас. X Ga Затравку вращают со скоростью 25,5 об/мин, и когда она касается расплава, происходит затравливание. После чего начинают перемещать 25 затравку вверх со скоростью 8,0 мм/ч. При появлении из-под кристалла вы» нуждеиных конвекционных потоков на диаметре 74 мм, свидетельствующих о переходе формы фронта кристалли1 зации от островыпуклого к плавно94 Длийа конуса, мм Диаметр кристал" Содержание кислорода, об.Х Коэффициенты Процент выхода годных, X Номер примера Скоорость врания затрави об/мин рость перемещения затравки мм/ч начапри рост крис тапл по диаметр окон чани лов, мм ло роста трав вароста 23,5 8, 2 0,9 35 35,3 0,9 35 34,2 21,5 8 22 5 8 2 0 9 35 36,7 0,9 35 23,5 8 10,2 235 8 2 20 8 2 8,4 0,9, 35 0,9 35 12,1 80 0,058 О, 15 25, 5 80 0 080 080 30 80 О, 110 0,89 35 80 0200 010 24 5 80 0,030 0,25 24,5 80 0 050 0 15 24,5 выпуклому,. скорость вращения начинают уменьшать в соответствии с формулой 4J 25,5-0,058Р от 25,5 об/мин до 23,5 об/мин. Конус выращивается длиной 35 мм. Далее рост кристалла ведут при постоянной скорости вращения 23,5 об/мин. Кристалл выращивают до веса 11 кг. Таким образом, коэффициент извлечения шихты составлят 85Х. Поскольку длина конусной части уменьшается при таких режимах роста с 60 до 35 мм, увеличивается вес цилиндрической части и, соответственно, увеличивается процент выхода годных кристаллов до 36Х. Было проведенО 8 процессов, полученные данные приведены в .таблице. Примеры 1-5 подтверждают эффективность предлагаемого способа. В примерах 4-6 начальная скорость вращения менее указанной в формуле — уменьшается процент выхода годных, в примере 7-8 скорость вращения отличается от указанной s формуле — годную часть кристалла не получают. Как видно из данных таблицы, использование предлагаемого способа позволяет увеличить выход годных монокристаллов до 36Х ° Продолаение таблицы 1220394 7. 80 0 058 0 75 45 8 80 36 0,9 60 ЗО,О Составитель Н.Пономарева Редактор Н,Салтыкова Техред А.Кравчук Корректор Л.Пилипенко Тиран Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Рауиская наб., д. 4/5 Закаэ 790 Филиал ППП "Патент"; г. Уигород, ул. Проектная, 4 9 80 :(прототип) 43 8 2 8 2 8 2 0,9 35 0,9 35
