Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов на основе иттриевого феррограната

 

ОййСЛйИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

293765

Союа Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 23.V!.1969 (№ 1340702/23-25) Л!ПК С Olg 49, 00

Б Olj 17/00 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 26.1.1971. Бюллетень ¹ 6

Дата опубликования описания 15.!!!.1971

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете Министров

СССР ДК 546 723 07 548 55 (088.8) ФИ;л .1ь"э и -: .

А. Г. Титова, Ю, М. Яковлев, В, И. Мосель и Б. M. Лебедь !1

3, т" г11 Фт »,; 1»

Авторы изобретения

Заявитель

IP 8 Г»

IllHXTA ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ФЕРРИТОВЫХ

МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ИТТРИЕВОГО ФЕРРОГPAHATA

36,56 — 35,83

45,56 — 45,13

РЬО

РЫт

1 2OÇ !

34303

Fe3O3

Al (ОН) 3

4,50 — 4,90

0,80 — 0,86

11,20 — 11,80

1,38 — 1,48

Изобретение относится к материалам для выращивания ферри foBI Ix монокристаллов состава Y l, Gd.,-F e3,-А 1 тО !3.

Известна шихта для выращивания ферритовых монокристаллов на основе иттриевого фсррограната, в которой исходные xoilI!o»eIIты берут в следующих отноц!ениях, вес. %:

У2 -!3 8,28

Ге203 16,10

PbO 30,68

РЬ! 2 44,94

Кристаллы имеют намагниченность насыщения 1750 гс, которая меняется в интервале температур от минус 100 до плюс 100 С в пределах от 2100 до 1400 гс, т. е. на 30%. Известный состав имеет большую величину намагниченности насыщения и низкую термостабильность получаемых кристаллов.

С цслью получения монокристаллов состага

Y>,„Gdо,3!те,,IAlo901 с малой величиной намагниченности насыщения (300+-30 гс) и высокой термостабильностью (+5%), .компоненты исходной шихты берут в следующих отношениях, вес. %:

Пример. Исходные компоненты 36,6

У3О3, 6,54г Gd>03, 90,40г F30;„11,20г Al(OH)3, 281,20 г PbO и 353,0 г PbF3 перемешивают путем вибропомола и загружают в платиновый тигель емкостью 250 с.ч3, который закрывают платиновой крышкой и помещают в печь для выращивания монокристаллов. Процесс ведут по следующему режиму: нагрев до 1300 С, выдержка при этой температуре 15 час и охлаждение с 1300 до 1260 C со скоростью

3 C/÷àñ, с 1260 до 960 С со скоростью 0,5-1 С/час, а затем охлажде!гпе вместе с выклю !сll»oiI печь|о. 1хо33по33е33ты в !Засплс3вс пере мешивают путем реверсивного вращения тигля со скоростью 10 — 15 об/.!!ин при 1300 С и при охлаждении от 1200 Io 960 С. Кристаллы извлек;llol путем кипячения содержимого тигля в водном р!3ст33орс !3зотной кис.!оть!. Полмченныс кристаллы состава УЗ,Gd!I„;Fс, IAl

Предмет изобретения

Шихта дл я выращивания ферр итовых моно30 кристаллов на основе иттриевого феррограна293765

Составитель Т. Кузьмина

Корректор Т. А. Уманец

Редактор О. Кузнецова

Изд. № 258 Заказ 549/7 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий ври Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4 5

Типография, пр. Сапунова, 2 та путем кристаллизации из раствора в расплаве PbO — PbFq, отличающаяся тем, что, с целью получения монокристаллов состава

Уг,5GdpзFе4лAlpgO г с малой величиной намагниченности насыщения (300 30 гс) и высо- 5 кой термостабильностью (+-5%), компоненты исходной шихты берут в следующих отношениях, вес. % .

Угроз зс гОз егОз

А1(ОН) з

PbO

PbF2

4,50 — 4,90

0,80 — 0,86

11,20 — 11,80

1,38 — 1,48

36,56 — 35,83

45,56 — 45,13

Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов на основе иттриевого феррограната Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов на основе иттриевого феррограната 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики

Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть применено для получения особо крупных монокристаллов тугоплавких оксидов
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной, химической промышленности, в ювелирном деле
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов гранатов и может быть использовано в лазерной технике, магнитной микроэлектронике (полупроводники, сегнетоэлектрики) и для ювелирных целей

Изобретение относится к оксидным сцинтилляционным монокристаллам, предназначенным для приборов рентгеновской компьютерной томографии (РКТ) и обследования просвечиванием излучением

Изобретение относится к материалам для твердотельных лазеров, а именно к материалам для лазеров с ламповой накачкой
Наверх