Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов

 

;. (- ). с:О:с л. - . TE 8: . 1 р,., 1блис-; б1 б

ОП И САКИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

39I847

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 21.XII.1970 (№ 1600632/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 27.VI I.1973. Бюллетень № 32

Дата опубликования описания 13.XII.1973

М. Кл. В 01j 17/04

С Olg 49/00 гасударственныи камитет

Савета Министрав СССР аа делам нэабретеннй и аткрытии

УДК 546.723 66:548..55 (088.8) Авторы изобретения

А. Г. Титова и P. А. Петров

Заявитель

ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ФЕРРИТОВЫХ

МОНОКРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к области химической технологии и касается получения магнитных монокристаллических материалов.

Известна шихта для получения монокристаллов с намагниченностью насыщения

1750 гс.

Однако для создания ограничителей мощности с малым уровнем ограничения требуются монокристаллы с более высоким, чем у иттрийжелезного граната значением намагниченности насыщения при сохранении узкой линии ферромагнитного резонанса.

Цель изобретения — разработка состава для выращивания монокристаллов с общей формулой фГе5 Scx0 2 (при х не более 0,7), обладающих повышенной намагниченностью насыщения, узкой линией ферромагнитного резонанса .и высоким удельным электросопротивле ием.

Это достигается тем, что в исходную шихту вводят окись скандия при следующем соотчошении компонентов, вес. %: ф203 6,19 — 6,18;

Fe O 13,48 — 13,12; Sc203 0,94 — 1,26; PbO

34,63 — 34,65; РЬГ 44,76 — 44,79.

Пример. Шихту, содержащую, г: р20з

13,55; Fe 03 28,74; Sc 03 2,76; PbO 75,89;

PbF> 98,08, перемешивают путем вибропомола, загружают в платиновый тигель емкостью

160 см, закрывают платиновой крышкой и помещают в печь для выращивания монокристаллов. Печь нагревают до 1300 С со ско5 ростью по 150 /час, с выдержкой при 1300 С в течение 10 час. Раствор — расплав охлаждают до 1250 С со скоростью 5 С/час, до

1200 С 1 /час, до 1050 С 0,5 /час, до 950 С

1,5 /час, а затем вместе с выключенной печью.

10 Отделение кристаллов от застывшего расплава производят путем длительного кипячения в водном растворе азотной кислоты.

Предмет изобретения

Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов на основе иттриевого феррограната кристаллизацией из раствора в расплаве в присутствии окиси свинца и фтори20 стого свинца, отличающаяся тем, что с целью увеличения намагниченности насьпцсния феррогранатов при сохранении узкой линии ферромагнитного резонанса, в исходную шихту вводят окись скандия при следующем соотно25 шении компонентов, вес. /О. феО, 6,19 — 6,18;

Fe O 13,48 — 13,12; Sc203 0,94 — 1,26; РЬО

34,63 — 34,65; PbFg 44,76 — 44,79.

Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики

Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть применено для получения особо крупных монокристаллов тугоплавких оксидов
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной, химической промышленности, в ювелирном деле
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов гранатов и может быть использовано в лазерной технике, магнитной микроэлектронике (полупроводники, сегнетоэлектрики) и для ювелирных целей

Изобретение относится к оксидным сцинтилляционным монокристаллам, предназначенным для приборов рентгеновской компьютерной томографии (РКТ) и обследования просвечиванием излучением
Наверх