Шихта для выращивания монокристаллов иттрий-железного граната

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОЬГЕТИНИЯ

1 бн(;»;„"„:

394315

Союз Советских

Социалистических

Ре пуЕвик

К АВТОВСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (Зависимое oT IBT. cBH tIcTplrrii. Ta:I ¹ .Ч.Кл. С Olf 17/00

С Olg 49/00

В 011 !7/06

Заявлено 08.11.1971 (№ 1618821/23-26) с присоединением заявки №вЂ”

Гос1/дарственный комитет

Соввта Министров СССР

ll0 делам изобретений и открытий

Приоритет—

Опубликовано 22.VI II.1973. Б1оллстеиь ¹ 34 с ДК 546.723.07,548.55 (088.8) Дата опубликования описания 4.111.1974

Авторы изобретения

Ю. Л. Сапожников, А. Г. Титова и В. Г. Куриленко

Заявитель

ШИХТА ДЛЯ ВЪ|РАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ИТТРИЙ-ЖЕЛЕЗНОГО ГРАНАТА

C) помещают в печь. Печь нагревают до

1300 С, выдерживают при этой температуре

10 час, затем охлахкдают до 1250 С со скоростью 5 /час, от 1250 до 900 со скоростью

0,5-:-2, час, а затс ir тигель охлаждастся вместе с BыключеHíой печью. Извлечение кристаллов производится кипячением тигля с содержимым в 25%-иом водном растворе азотной кислоты.

Шихта для выращивания моиокристаллов иттрий-железного граната путем кристаллиза1в ции из РаствоРа компонентов УзОз, 1- езОз, СаСО> в расплавс PbO — PhF> — ВзОз, отличаюа1алсл Tcм, что, с целью увеличения коэффициента использования окиси иттрия и повышения выхода крупных кристал Ioa, в rIIrrx20 ту вводят двуокись car»rIIB. а исходные компенеиты берут в следующем соотношешш, вес %:

1зОз

Fe О.РЬО

PbF

ВзОз

PbO

СаСОз

5,4 — 10,8

11,42 — 17,55

30,9 — 34,18

33,62 — 37,6

2,36 — 2,7

7,25 — 7,65

0,01 — 0,05

1

Изобретение относится к области хими11еской технологии и касается получения монокристаллов магнитных полупроводниковых м атер и алов.

Известна шихта для выращивания монокристаллов иттрий-железного граната (И КГ) следующего состава (вес. % ): 11,03 УеО-„

° 15,65 Fe O 39,3 РЬО 32,15 PhF, 18,2 В,О,.

° 0,05 СаСОз.

Однако значение коэффициента использования окиси иттрия, рассчитанное как отношение всех полученных кристаллов к теоретически возможному весу, не превышает 0,5.

Цель изобретения — определение более экономичных шихтовых составов, позволяющих иметь значение q в пределах 0,7 — 0,85 при одновременном увеличении доли наиболее крупных кристаллов И КГ до 80 — 90 вес.

Это достигается введением в исходный состав шихты двуокиси свинца и следующим изменением соотношения остальных компонентов шихты (вес. %):

Ъ зОз 5,4 — 1,08; ГезОз 11,42 — 17,55; PbO

30,9 — 34,18; Pb Рз 33,62 — 37,60; Вз03

2,36 — 2,7; Pb02 7,25 — 7,65; СаСОз 0,01 — 0,05.

Пример. Шихту, содержащую 22,58 УзОз, 23,95 Fe203, 67,65 PbO; 73,51 PbFq, 5,22 В20з, 16,0 PbO, 0,1 СаСОз, перемешивают путем вибропомола, загружают в платиновый тигель емкостью 160 см, тигель закрывают крышкой

Предмет пзо бр етен и я

Шихта для выращивания монокристаллов иттрий-железного граната 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики

Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть применено для получения особо крупных монокристаллов тугоплавких оксидов
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной, химической промышленности, в ювелирном деле
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов гранатов и может быть использовано в лазерной технике, магнитной микроэлектронике (полупроводники, сегнетоэлектрики) и для ювелирных целей
Наверх