Элемент памяти

Авторы патента:

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в запоминающих устройствах, в устройствах бесконтактного ввода информации в ЭВМ, в кодирунмцих устройствах и др. Целью изобретения является упрощение элемента памяти. Элемент памяти содержит высококоэрцитивную (400-1200 А/м) ферромагнитную проволоку с ППГ, немагнитный материал (например, медь), осажденный на проволоку, и электрохимически осажденную на материал кокоэрцитивную (160-240 А/м) магнитную пленку. Во время работы в зависимости от величины внешнего магнитного поля элемент памяти устанавливается в одно.из двух устойчивых магнитных состояний на ППГ. Переход из одного устойчивого состояния в другое осуществляется путем когерентного вращения за время порядка нескольких наносекунд. 3 ил. Q ifi (Л S3 ik to CX Od

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (SD4 G 11 С 11 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOIVlV СВИДЕТЕЛЬСТВУ устройствах, в устройствах бесконтактного ввода информации в 3ВМ, в кодирующих устройствах и др. Целью изобретения является упрощение элемента памяти. Элемент памяти содержит высококоэрцитивную (400-1200 А/м) ферромагнитную проволоку с ППГ, немагнитный материал (например, медь), осажденный на проволоку, и электрохимически осажденную на материал низкокоэрцитивную (160-240 А/м) магнитную пленку. Во время работы в зависимости от величины внешнего магнитного поля элемент памяти устанавливается в одно.из двух устойчивых магнитных состояний на ППГ. Переход из одного устойчивого состояния в другое осуществляется путем когерентного вращения за время порядка нескольких, наносекунд. 3 ил.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ. КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3761340/24 (22) 18.06.84 (46) 30.06.86. Бюл. М- 24 (71) Ташкентский ордена Трудового

Красного Знамени институт инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства (72) M.Ô. Зарипов, Л.И.Каримова и И.Ю.Петрова (53) 681.327.66(088.8) (56) Патент Великобритании

Ф 1369903, кл. G 11 С 11/02, опублик. 1979.

Зарубежная радиоэлектроника, 1979, Ф 5, с. 64. (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в запоминающих

„„SU„„1241286 А 1

f 12412

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в запоминающих устройствах, в устройствах бесконтактного ввода информации в 3ВМ, в кодирующих устройствах и др.

Целью изобретения является упрощение элемента памяти.

На фиг. 1 и 2 показано распределение намагниченности в элементе па- 1О мяти при наличии и отсутствии внешнего магнитного поля; на фиг. 3 петля гистерезиса элемента памяти.

Элемент памяти (фиг. 1 и 2) содержит высококоэрцитивную (400-1200 А/м) 15 ферромагнитную проволоку 1 с прямовЂ” угольной петлей гистерезиса (ППГ), немагнитный материал (например, медь) 2, осажденный на проволоку 1, и электрохимически осажденную на ма- 20 териал 2 низкокоэрцитивную (160240 А/м) магнитную пленку 3.

Оси легкого намагничивания ферромагнитной проволоки 1 и пленки 3 направлены вдоль оси проволоки. Эффективная площадь сечения проволоки 1 может иметь значение, настолько близкое к значению эффективной площади сечения пленки 3 (толщина которой 1вЂ”

2 мк), насколько это позволяет технология осаждения пленки, что значительно расширяет пределы микроминиатюризации элемента памяти. Представляется возможным изготовить элементы памяти диаметром 0 01-0,1 мм и 35 длиной 5-10 мм.

Предлагаемый элемент памяти работает следующим образом.

При воздействии достаточно сильного внешнего магнитного поля элемент 40 памяти устанавливается в первое магнитное состояние насыщения (фиг.1), соответствующее точке "установки" петли гистерезиса на фиг. 3. При этом элемент памяти фактически является 45 постоянным магнитом, так как направления.намагниченности проволоки 1

86 а и пленки 3 совпадают, а магнитный поток замыкается по воздуху.

При уменьшении магнитного поля . до определенной величины, соответствующей точке "сброса" петли гистерезиса (фиг. 3), происходит переключение элемента памяти во второе магнитное состояние, когда ппенка 3 перевЂ” магничивается в противоположном направлении, а магнитный поток замыкается внутри образца (фиг. 2) . Если рядом с элементом памяти разместить детекторную обмотку, то в ней при этом будет генерироваться импульс.

Так как.при определенной системе воздействия внешнего магнитного поля перемагничивание пленки 3 может происходить путем когерентного вращения за время порядка нескольких наносекунд, то продолжительность электрического импульса на выходе уменьшается, что позволяет считывать большее .количество импульсов .за единицу времени. Этот факт наряду со стабильностью параметров от образца к образцу при непрерывном осаждении пленки значительно повышает точность измерения устройств на основе предлагаемого элемента памяти.

Формула изобр ет ения

Элемент памяти, содержащий два коаксиально рас.положенных ферромагнитных цилиндра с прямоугольной петлей гистерезиса, оси легкого намагничивания которых направлены вдоль оси цилиндров, отличающийся тем, что, с целью упрощения элемента памяти, он содержит немагнитный материал, расположенный между ферромагнитными цилиндрами, причем внутренний ферромагнитный цилиндр выполнен в виде высококоэрцитивной ферромагнитной проволоки, а внешний ферромагнитный цилиндр вЂ” в виде низкокоэрцитивной магнитной пленки.

1241286

Фцi f

2 фаз.. 3

Составитель Ю.Розенталь

Редактор Т.Парфенова Техред O.Сопко Корректор E,Ðîøêo

Заказ 3603/46 Тираж 543 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Ферроакустическое запоминающее устройство // 1238153

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин и систем промышленной автоматики

Логический пороговый мажоритарный элемент // 1236606

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении логических и арифметических устройств на цилиндрических магнитных доменах (ВД)

Способ управления продвижением магнитных доменов и устройство для его осуществления // 1229823

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических маг- ; нитньк доменах

Усилитель считывания для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах // 1226529

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминаюпщм устройствам, и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Источник вращающегося магнитного поля для контроля магнитных интегральных схем // 1223305

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при исследовании и контроле магнитных интегральных схем (МИС) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Накопитель информации // 1211806

Устройство для контроля накопителей информации на цилиндрических магнитных доменах // 1211805

Способ изготовления плоских катушек индуктивности для источника вращающегося магнитного поля // 1203597

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении магнитных интегральных схе.м на цилиндрических магнитных доменах

Способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке // 1198569

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)