Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

Авторы патента:

C30B15/10 - тигли или контейнеры для поддерживания расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее тигель для расплава, размещенный в подставке, повторяющей его форму и установленной на плите, закрепленной на штоке, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов за счет снижения вибрации расплава, подставка снабжена основанием, установленным на шаровых опорах в виде вкладышей со сферическими рабочими поверхностями и взаимодействующим с ними шара, размещенных в проточках, выполненных в основании и плите, а отношение радиуса сферы вкладыша к радиусу шара составляет 10 - 100.

Устройство для выращивания монокристаллов // 1123326

Контейнер для выращивания кристаллов из расплава и способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце // 976726

Способ получения изделий из двуокиси кремния // 962340

Тигель для выращивания монокристаллов // 811884

Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон // 650273

Установка для вытягивания из расплава слитков по способу чохральского // 297389

Тигель для высокочастотной индукционной нлавки // 291736

Способ контроля чистоты кварцевых изделий // 255209

В. и. ульянова // 185492

Плавильное устройство для выращивания кристаллов из расплава // 2114938

Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано в конструкции плавильного устройства для выращивания кристаллов из расплава, преимущественно кремния

Устройство для выращивания кристаллов и способ выращивания кристаллов // 2200776

Изобретение относится к устройству для выращивания кристаллов и способу выращивания кристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов сапфира // 2227822

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции

Плавильное устройство для выращивания монокристаллов кремния из расплава // 2241080

Изобретение относится к технологии получения кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например кремния, для полупроводниковой промышленности методом Чохральского

Устройство для непрерывного группового выращивания ориентированных слоев кремния на углеродной ткани // 2258772

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)

Способ подготовки тигля для выращивания монокристаллического слитка кремния по методу чохральского // 2286407

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов

Резервуар для приема расплавленного кремния или для плавления кремния и способ его изготовления // 2303663

Изобретение относится к созданию резервуара для хранения расплавленного кремния и способа его изготовления

Устройство для выращивания монокристаллов оксидов тугоплавких металлов // 2320790

Изобретение относится к области выращивания оптических кристаллов, предназначенных для применения в оптоэлектронных приборах

Способ формирования защитного покрытия на внутренней поверхности кварцевого тигля // 2328562

Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава // 2342473

Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, преимущественно, при получении кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского