Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон
Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон, включающее тигель и установленный в его полости блок линейно расположенных формообразователей с вертикальными капиллярными каналами, выполненными из электропроводного материала, и источник тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности процесса и прочности получаемых волокон, тигель имеет форму лодочки, торцовые стенки которой присоединены к источнику тока при помощи токоподводов, и блок выполнен из двух пластин, установленных вдоль лодочки параллельно одна другой, причем боковые торцы пластин прикреплены к торцовым стенкам лодочки и на их верхних торцах между капиллярными каналами выполнены прорези.
Похожие патенты:
Патент 151299 // 151299
Способ получения моно- и поликристаллов // 149759
В. и. ульянова // 185492
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано в конструкции плавильного устройства для выращивания кристаллов из расплава, преимущественно кремния
Изобретение относится к устройству для выращивания кристаллов и способу выращивания кристаллов
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции
Изобретение относится к технологии получения кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например кремния, для полупроводниковой промышленности методом Чохральского
Устройство для непрерывного группового выращивания ориентированных слоев кремния на углеродной ткани // 2258772
Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)
Способ подготовки тигля для выращивания монокристаллического слитка кремния по методу чохральского // 2286407
Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов
Резервуар для приема расплавленного кремния или для плавления кремния и способ его изготовления // 2303663
Изобретение относится к созданию резервуара для хранения расплавленного кремния и способа его изготовления
Изобретение относится к области выращивания оптических кристаллов, предназначенных для применения в оптоэлектронных приборах
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, преимущественно, при получении кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского
Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов тугоплавких оксидов для конструкционных узлов и изделий
