Способ изготовления алюминиевого контакта большой площади
Способ изготовления алюминиевого контакта большой площади на кремниевой пластине, включающий подготовку поверхности пластины шлифовкой, нанесение слоя алюминия на пластину, нагрев и охлаждение пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контакта за счет улучшения адгезии алюминия к пластине, снижения переходного сопротивления и снижения разброса по толщине, кремниевую пластину шлифуют до шероховатости Ra не более 3,2·10-7 м, затем окисляют до образования слоя двуокиси кремния толщиной от 8·10-8 до 10-7м, а слой алюминия наносят контактированием расплава алюминия с кремниевой пластиной, нагретой до температуры от 923 до 1023 K, в течение времени от 0,5 до 1,5 с.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технике/ в частности к способам создания многослойных контактных систем
Способ изготовления выпрямительных элементов // 1114253
Способ создания силицидов металлов // 884481
Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)
Способ магнетронного распыления // 2114487
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений
Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797
Изобретение относится к микроэлектронике
Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов
Способ напыления рельефных подложек // 2229182
Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов
Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др