Устройство для определения постоянной времени коллекторной цепи транзистора

 

Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения повышение точности определения постоянной времени коллекторной цепи транзистора. Устройство содержит генератор 1 электромагнитных колебаний, соединенный с частотомером 2 и подвижным контактом 3 первого коммутатора 4, первый неподвижный контакт 5 которого соединен с эмиттерной цепью 6 контактного блока 7 и первым неподвижным контактом 8 второго коммутатора 9, второй неподвижный контакт 10 которого соединен с вторым неподвижным контактом 11 первого коммутатора 4 и через аттенюатор 12 с коллекторной цепью 13 контактного блока 7, измеритель 14 мощности, подключенный к подвижному контакту 15 второго коммутатора 9. Введение регулируемого реактивного сопротивления 16, подкл юченного между общей шиной 17 из- . мерительной установки и базовой це (Л пью 18 контактного устройства, величина которого выбирается из условия с обеспечения максимального значения коэффициента максимального устойчивого усиления транзистора, включенного по схеме с общей базой, позволяет при измерении постоянной времею ни исключить погрешности, связанные О5 с рядом ограничений, накладьшаемых 4i на частоту сигнала, активное и индуктивное сопротивление базы. 2 ил. СП

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (5Н g С 0.1 R 31/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ ГЕНИЯ:;.

К АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ е I. е, I

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3861825/24-21 (22) 04.03.85 (46) 15. 10.86. Бюл. Ф 38 (71) Винницкий политехнический институт (72) И.В.Кузьмин, Н.А.Филинюк и А.ПеШеремета (53) 621.382.2(088.8) (56) Аронов В.А., Федотов Я.А. Испытания и исследования полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1975, с. 15. . Филинюк Н.А. и др. Определение параметров физической эквивалентной схемы ВЧ-транзисторов. Изв. ВУЗов

СССР. — Радиоэлектроника, 1975, т ° 25-12, с. 39. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ПОСТОЯННОЙ ВРЕМЕНИ КОЛЛЕКТОРНОЙ ЦЕПИ

ТРАНЗИСТОРА (57) Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения повышение точности определения постоянной времени коллекторной цепи транзистора. Устройство содержит генератор 1 электромагнитных колебаний, соединенный с частотомером 2 и под„„SU„„1264115 А 1 вижным контактом 3 первого коммутатора 4, первый неподвижный контакт 5 которого соединен с эмиттерной цепью

6 контактного блока 7 и первым неподвижным контактом 8 второго коммутатора 9, второй неподвижный контакт

10 которого соединен с вторым .неподвижным контактом 11 первого коммутатора 4 и через аттенюатор 12 с коллекторной цепью 13 контактного блока

?, измеритель 14 мощности, подключенный к подвижному контакту 15 второго коммутатора 9. Введение регулируемого реактивного сопротивления 16, подключенного между общей шиной 17 из- . мерительной установки и базовой цепью 18 контактного устройства, величина которого выбирается нз условия обеслечения максимального значения { коэффициента максимального устойчивого усипения транзистора, включенного по схеме с общей базой, позволяет при измерении постоянной времени исключить погрешности, связанные с рядом ограничений, накладываемых на частоту сигнала, активное и индуктивное сопротивление базы. 2 ил.

Э и

1264 жения, 1/ (К )„ „ . (3)

Для сокращения времени определе6 ния (К ) „ в качестве начального значения Z можно рекомендовать использовать такое. значение, при котором Р„„ как функция от Z> имеет максимум.

Для доказательства выполнения поставленной цели изобретения приведена выражение, из которого обычно на

55 частотах Яс 0,2 определяется постоянная времени коллекторнай цепи.

К,„= ф+(И1.б -1/и)С (1 я Ц

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к изме. рению параметров транзисторов.

Цель изобретения — повышение точности определения постоянной времени коллекторнай цепи транзистора.

Поставленная цель достигается тем, Э чта при измерении постоянной времени исключаются погрешности, связанные с рядом ограничений на частоту 10 сигнала, активное и индуктивное сопротивления базы.

На фиг. 1 изображена блок-схема устройства для определения постоянной времени коллекторной цепи транзистора",на фиг. 2 — блок-схема кантактнога блока.

Устройство состоит из генератора электромагнитных колебаний, соединенного с частотомером 2 и подвижным контактом 3 первого коммутатора 4,, первый неподвижный контакт 5 которогo соединен с эмиттерной цепью 6 кан— тактнага блока 7 и первым неподвижным контактом 8 второго коммутатора 25

9, второй неподвижный контакт 10 ка.тарага соединен са вторым неподвижным контактом 11 коммутатора 4 и через аттенюатор 12 с каллекторнай цепью

13 контактного блока 7, измерителя 14 мОщнОсти падключеннОГО Ic падв1лжнаму контакту 15 коммутатора 9, регулир емога реактивного сопротивления 16-, подключенного между Общей шиной 17 и базовой цепью 18 контактного бла35 ка 7.

Контактный блок 7 обеспечивает установку исследуемого транзистора и и ега режим питания па постоянному таку. Контактный блок 7 состоит из цепей 6, 13 и IS общей шины 17, бло— ка 19 питания, держателя 20 с исследуемым транзисторам 21, имеющим эмиттерный 22, каллектарный 23 и базовый

24 выводы, фильтров 25-27 питания, в которые. входят драссели 28-30, IcoFFденсаторы 31-33 развязывающие и конденсаторы 34-36 блакировачные.

Устройство для определения постоянной време1ги каллектарной цепи транзистора работает следующим Об— разам.

Исследуемый транзистор 21 усганавливают в держатель 20 (фиг. 2) и задают режим ега работЫ па постоянному току. Устанавливают праизвальнуF0 Be личину регулируемого реактивнага сопротивления 16 — (Z ) и определяют, а коэффициент (К,„,) максимального ус115 2 тайчивага усиления четырехпалюсннка, состоящего из этажного соединения двух четырехполюсников: представляю1 щего исследуемый транзистор и представляющего реактивное сопротивление базовой цепи с сопрот1 влением Е .

Для определения (К ) проводят следующие операции, Подают электромагнитные колебания с генератора 1 постоянной мощности и частоты, причем мощность выбирается иэ условий обеспечения малого сигнала, а частота из условий

Qd >cd +3vt Р, (1) де — граничная частота, на которой реальная часть коэффициента передачи транзистора по току уменьшается по сравнению с низкочастотным значением в. два раза, P — низкочастотное значение о коэффициента передачи по току транзистора в схеме с общим эмиттером.

Замыкают контакты 3 и 5 коммутатора 4 и кантакты 10 и 15 коммутатора

9 и измерителем 14 измеряют мощность

Р„, электромагнитных колебаний в выходной цепи.

Замыкают контакты 3 и 11 коммутатора 4 и контакты 8 и 15 коммутатора 9 и измерителем 14 измеряют мощность P электромагнитных колебаний .нс ва входной цепи.

Б

Определяют (К,„,) по формуле

<к, > = n„. (2)

Затем опуеделяют максимальное значение (К ), равное (К ) „,к к функции ат величины Z, при его изменении в пределах -j (Ом) < Z < . (j (Ом).

Постоянную времени коллекторной цепи транзистора определяют из выра126 (/г «) L a1/ulc„r =1(1

;.р, >нд1 (Б), E C„(a+12)»r . (e)

1/EdC„(1+5 ) J»UL> .< > д I

Выражение для (К ), полученное 25 с использованием выражения (4) и свойств этажного соединения четырехполюсников, по которому их матрицы сопротивлений суммируются, имеет вид

30 к,) = (8 где Š— результирующее реактивное

Р сопротивление, состоящее из суммы реактивного сопротивления базовой цепи и сопротивления Е

35. Исследуя выражение (8) на экстремум, как функцию (К ) = f(Z P при 40 выпоЛнении условия (6) получим, что максимум имеет место, если

Л1. = -Z „

Б где К вЂ” коэффициент максимального

1зъ g устойчивого усиления транзистора, включенного по схеме с общей базой

r = r< / (ф " коэффициент раз деления коллекторной емкости г8 — сопротивление базы;

u3 — частота, на которой произ-10 водятся измерения

С вЂ” емкость коллекторного пек рехода — индуктивность базового

8 вывода, 15 „ — постоянная времени коллек,торной цепи.

Выражение (4) справедливо в случае

;выполнения неравенства

4 при этом выражение (8) упрощается к виду (К ) „= 1/оз „, (9) т. е. введение регулируемого реактивного сопротивления, подключенного между общей шиной измерительной установки и базовой цепью контактного устройства, величина которого выбирается из условия обеспечения макси6 мума (К ), исключает составляющую погрешности определения постоянной времени коллекторной цепи транзистора, связанную с необходимостью выполнения неравенств (S) и (7) что позволит повысить точность определения, а значит, и точность расчета радиоэлектронных устройств на базе транзисторов.

Формула изобретения

Устройство для определения пос- . тоянной времени коллекторной цепи транзистора, содержащее генератор электромагнитных колебаний, соединенный с частотомером и подвижньп4 контактом первого коммутатора, первый неподвижный контакт которого соединен с эмиттерной цепью контактного блока и первым неподвижным контактом второго коммутатора, второй неподвижный контакт которого соединен с вторым неподвижным контактом первого коммутатора и через аттенюатор с коллекторной цепью контактного блока, измеритель мощности, подключенный к подвижному контакту второго коммутатора, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения постоянной времени коллекторной цепи, в него введено регулируемое реактивное сопротивление, подключенное между общей шиной и базовой цепью контактного блока.

1 2641 15

Составитель С.Гуменюк

Техред Л.Сердюкова Корректор Е.Рошко

Редактор А.Ревин

Заказ 5557/46 Тираж 728 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий.

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/S

Производственно-полиграфическое предприятие, r.ужгород, ул.Проектная, 4

Устройство для определения постоянной времени коллекторной цепи транзистора Устройство для определения постоянной времени коллекторной цепи транзистора Устройство для определения постоянной времени коллекторной цепи транзистора Устройство для определения постоянной времени коллекторной цепи транзистора 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области измерительной техники

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники

Изобретение относится к электронной технике, может быть использовано для измерения критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии и для классификации по этому параметру

Изобретение относится к способам диагностического контроля теплового сопротивления силового полупроводникового прибора (ПП), которые используются, например , для контроля теплопередачи от силового ПП к охладителю

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к технике измерения и контроля параметров полупроводниковых приборов

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к устройствам для коррекции характеристик управления полевых транзисторов, варикапов и других нелинейньпс элементов (НЭ) с повьпленной нелинейностью и температурной стабильностью в широком динамическом диапазоне коррекции и может быть использовано в качестве образцовых, управляемых электронным путем проводимостей при автоматизации измерений и других технологических процессов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх