Способ нанесения покрытий в вакууме

 

1. Способ нанесения покрытий в вакууме путем регулируемого испарения материала покрытия за счет его нагрева электронным пучком, ионизации паров испаряемого материала путем зажигания в них разряда при подключении одного из электродов источника разрядного напряжения к испаряемому материалу с регулированием степени ионизации током разряда, а энергии ионов - напряжением смещения на покрываемом изделии, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности при низком значении температуры изделия, ионизацию паров испаряемого материала осуществляют несамостоятельным дуговым разрядом при подключении к испаряемому материалу отрицательного электрода источника разрядного напряжения.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что процесс проводят при следующем соотношении режимных параметров где Uп - величина напряжения отрицательного смещения на изделии; Pдоп - мощность, рассеиваемая покрываемым изделием при предельно допустимой температуре; Pк - мощность, выделяемая на покрываемом изделии за счет теплоты конденсации; Ii - ток ионов на изделие; Ei - собственная энергия ионов в плазме; e - заряд электрона.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к порошковым смесям, используемым для получения газотермических покрытий на деталях машин, работающих в условиях абразивного, газоабразивного и гидроабразивного износа
Изобретение относится к технике получения керамических мишеней для нанесения покрытий в вакууме распылением и может быть использовано при изготовлении пленочных интегральных схем с сегнетоэлектрическими элементами

Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме, а именно к устройствам для ионно-плазменного распыления диэлектрических материалов

Изобретение относится к области металлургии, а именно к химико-термической обработке, в частности к процессам азотирования железа и черных сплавов в плазме тлеющего разряда, и может быть использовано во всех отраслях народного хозяйства

Изобретение относится к области вакуумной металлизации, а именно, к устройствам электродугового нанесения защитных покрытий

Изобретение относится к технологии получения вакуумных покрытий и может быть использовано при нанесении защитных, износостойких и декоративных покрытий, в частности на керамические и стеклянные облицовочные плитки

Изобретение относится к области покрытия металлических материалов, а также других материалов металлическими и диэлектрическими материалами и может быть использовано при разработке устройств для вакуумного нанесения покрытий методом магнетронного распыления, а более конкретно магнитных систем планарного магнетрона в установках вакуумного нанесения покрытия на различные подложки, в том числе на полимерные пленки

Изобретение относится к области обработки поверхностей металлов, такой как очистка (например, удаление окалины, оксидированных слоев, загрязнителей и тому подобное) поверхностей, термическая обработка и нанесение покрытий на них

Изобретение относится к технологии получения алмазоподобных пленок и может быть использовано для нанесения твердых, износостойких, химически инертных и аморфных алмазоподобных покрытий толщиной до 59 мкм с высокой адгезией к изделиям

Изобретение относится к технологии получения алмазоподобных пленок и может быть использовано для нанесения твердых, износостойких, химически инертных и аморфных алмазоподобных покрытий толщиной до 59 мкм с высокой адгезией к изделиям

Изобретение относится к области микроэлектроники

Изобретение относится к энергетическому и транспортному машиностроению и может быть использовано для повышения износостойкости лопастей турбин и насосов, элементов двигателей и другого оборудования, процесс эксплуатации которых характеризуется одновременным воздействием различных видов износа (каплеударная и абразивная эрозия, различные виды коррозии, эрозия-коррозия, кавитация, повышенная агрессивность среды, повышенное трение)

Изобретение относится к режущей пластине и способу ее получения из твердого сплава повышенной прочности и стойкости к пластической деформации, содержащего WC, кубические фазы карбида и/или карбонитрида в связующей фазе на основе Со и/или Ni и имеющего обогащенную связующей фазой поверхностную зону
Наверх