Растр

 

Изобретение относится к полиграфии и позволяет обеспечить возможность изменения линиатуры растра. Между стеклянными пластинами 1 и 2 размещен прозрачный диэлектрик 13, например лавсановая пленка. Углубленные канавки 3-8 заполнены жидким кристаллом, контактирующим с проводниками , соединенными с источником постоянного тока. Канавки пластины 1 ориентированы перпендикулярно канавкам пластины 2. Для получения линиатуры подают напряжение в определенные канавки пластин 1 и 2, вызывающее переориентацию молекул жидкого кристалла, в результате чего он приобретает способность не пропускать свет. Изменение линиатуры растра производится изменением коэффициента преломления жидкого крис (Л талла, заполняющего соответствующие канавки. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) (51) 4 С 03 F 5/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 4

1 я

13

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К ASTOPCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3872792/24-10 (22) 26.03.85 (46) 07. 11 ° 86. Бюл. Ф 41 (71) Омский политехнический институт (72) Д.Х.Ганиев, С.П.Гуров и С.М.лабзин (53) 777.32(088.8) (56) Синяков Н.И. Технология изготовления фотомеханических печатных форм. М.: Книга, 1974, с. 44-45.

Капустин А.П. Экспериментальные исследования жидких кристаллов. М,:

Наука, 1978, с. 334-338. (54) РАСТР (57) Изобретение относится к полиграфии и позволяет обеспечить воэможность изменения линиатуры растра.

Между стеклянными пластинами 1 и 2 размещен прозрачный диэлектрик 13, например лавсановая пленка. Углубленные канавки 3-8 заполнены жидким кристаллом, контактирующим с проводниками, соединенными с источником постоянного тока. Канавки пластины

1 ориентированы перпендикулярно канавкам пластины 2. Для получения линиатуры подают напряжение в определенные канавки пластин 1 и 2, вызывающее переориентацию молекул жидкого кристалла, в результате чего он приобретает способность не пропускать свет. Изменение линиатуры растра производится изменением коэффициента преломления жидкого кристалла, заполняющего соответствуняцие канавки. 3 ил.

1 1?69086 ?

Изобретение относится к полиграфии и предназначено для получения растровых фотоформ.

Целью изобретения является обеспечение возможности изменения линиатуры растра.

На фиг. 1 изображен растр, поперечный разрез; на фиг. 2 — принципиальная схема и три ячейки растра (вариант наименьшей линиатуры}; на 10 фиг, 3 — четыре варианта получаемой линиатуры растра: а — вариант получаемой линиатуры, уменьшенной в два раза по сравнению с наибольшей;

b — вариант наибольшей линиатуры; — вариант наименьшей линиатуры с прямоугольной растровой ячейкой, вариант наибольшей линиатуры с прямоугольной растровой ячейкой.

Растр содержит две стеклянные 20 пластины 1 и 2 (фиг. 1 и 2), в которых выполнены углубленные параллельные канавки глубиной 10-25 мкм, заполненные жидким кристаллом 3-12, между стеклянными пластинами 1 и 2 2 находится прозрачный диэлектрик 13 (например тонкая лавсановая пленка толщиной 10-15 мкм), причем стеклянные пластины 1 и 2 совмещены так, что канавки 3-7 пластины 1 расположатся. перпендикулярно канавкам 812 пластины 2. Жидкий кристалл, заполняющий углубленные параллельные линии, контактирует в концах линий с проводниками, например металлическими (медными, на фиг. 1-3 не показано), нанесенными, например, методами фотолитографии, которые соединены с источником 14 постоянного тока посредством выключателей 15-21.40

Для получения растровых фотаформ растр (пока все линии прозрачны) укрепляют в фотарепродукцианном àïïàрате и производят получение на нем требуемой линиатуры, например наименьшей. Для этого выключатель 15 включает (выключатели 16-21 отключены), при этом пад напряжением окажется жидкий кристалл, заполняющий углубленные параллельные линии 3 и

7 (фиг. 2) одной стеклянной пластины и 8 и 12 другой стеклянной пластины. 1!од воздействием приложенного напряжения происходит переориентация молекул жидкого кристалла, при этом он приобретает способность не пропускать свет, темнея, так как изменится показатель преломления жидкого кристалла. Основнач часть падающего света — 95X будет поглощаться, Обозначатся растровые ячейки с наименьшей линиатурой (фиг, 2).

Для получения растровых фотоформ (например с наибольшей линиатурой) включают выключатели с 15 по 21, при этом поц воздействием напряжения окажется жидкий кристалл, залолняющий углубленные параллельные линии

3-7 одной стеклянной пластины и 812 другой стеклянной пластины, при этом он изменит показатель преломления, образуя растр наибольшей линиатуры, Затем оригинал проецируют через образовавшийся растр на фотоматериал, после химико-фотографической обработки которого получается растровая фотафарма.

Аналогично получают растровые фотоформы с другой требуемой линиатурой, при этом изменяют в используемом растре линиатуру путем изменения коэффициента преломления жидкого кристалла,:заполняющего соответствующие углубленные линии, подключая их к источнику 14 постоянного тока.

Формула изобретения

Растр, содержащий две стеклянные пластины с нанесенными на каждой прямолинейными параллельными канавками, причем пластины наложены одна на другую канавками внутрь так, что канавки одной из них перпендикулярны канавкам другой, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью обеспечения вазможности перестройки растра, между пластинами помещен прозрачный диэлектрик, а канавки заполнены жид- ким кристаллом,и соединены с источ-ником постоянного тока через выключатели.

1269086

Риг. Г

Составитель Л.Безпрозванный

Техред И.Попович Корректор Т.Колб

Редактор А.Н андор

Заказ 6033/49

Тираж 436 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д . 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4