Способ бесконтактного измерения емкости полупроводника и устройство для его осуществления

 

1. Способ бесконтактного измерения емкости полупроводника, состоящий в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения и освещении его модулированным световым потоком, измерения сигнала конденсаторной фотоЭДС, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, автоматизации и упрощения измерений, сигнал конденсаторной фотоЭДС поддерживают постоянным изменением светового потока по критерию ImE = const, где ImE - мнимая часть конденсаторной фотоЭДС, измеряют амплитуду интенсивности модулированного светового потока и рассчитывают емкость полупроводника по математической формуле.

2. Устройство для бесконтактного измерения емкости полупроводника, содержащее полупроводниковый образец, источник напряжения смещения, генератор, усилитель, источник света, образцовый резистор, световод с полупрозрачным металлическим электродом, измерительный усилитель, первый синхронный детектор и резистор, причем выход генератора соединен с входом усилителя и с вторым входом первого синхронного детектора, первый вход которого соединен с выходом измерительного усилителя, вход которого соединен с полупрозрачным металлическим электродом и первым выводом резистора, второй вывод которого соединен с вторым выходом источника напряжения смещения и с общей шиной, первый выход источника напряжения смещения соединен с полупроводниковым образцом, один вывод образцового резистора соединен с общей шиной, а второй с первым выводом источника света, источник света через световод с полупрозрачным металлическим электродом оптически связан с полупроводниковым образцом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, автоматизации и упрощения измерений, дополнительно содержит сумматор, регулируемый генератор тока, второй и третий синхронные детекторы, усилитель постоянного тока, источник опорного напряжения, RC-фильтр, усилитель выполнен регулируемым, причем второй вход регулируемого усилителя соединен с выходом RC-фильтра, а выход с первым входом сумматора, выход которого соединен с первым входом регулируемого генератора тока, второй вход которого соединен с первым выводом источника света, а выход с вторым выводом источника света, второй вход сумматора соединен с выходом третьего синхронного детектора, первый вход которого соединен с первым выводом источника света, а второй с генератором, первый вход второго синхронного детектора соединен с выходом измерительного усилителя, а второй вход с генератором, выход первого синхронного детектора соединен с первым входом усилителя постоянного тока, второй вход которого соединен с выходом источника опорного напряжения, а выход с входом RC-фильтра.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к контролю полупроводниковых приборов

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к области измерительной техники

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники

Изобретение относится к электронной технике, может быть использовано для измерения критической скорости нарастания напряжения тиристоров в закрытом состоянии и для классификации по этому параметру

Изобретение относится к способам диагностического контроля теплового сопротивления силового полупроводникового прибора (ПП), которые используются, например , для контроля теплопередачи от силового ПП к охладителю

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх