Способ измерения удельного контактного сопротивления

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

Способ измерения удельного контактного сопротивления, включающий создание p-n-перехода в полупроводниковой подложке, нанесение четырех металлических контактов, расположенных на одной линии, подключение зондов к контактам, пропускание тока I через первый и четвертый контакты, измерение падения напряжения U₁ между первым и вторым, а также U₂ между вторым и третьим контактами, вычисление удельного контактного сопротивления по формуле

где U = U₁ - U₂;

S_к - площадь контакта,

отличающийся тем, что, с целью повышения точности путем компенсации систематической погрешности, одновременно с нанесением четырех контактов производят нанесение пятого дополнительного контакта, расположенного на одной линии перед первым контактом, перед пропусканием тока через первый и четвертый контакты осуществляют пропускание тока между пятым дополнительным и четвертым контактами и балансируют схему измерения падений напряжений.

Изобретение относится к метрологии полупроводниковых приборов,, в частности к способам определения параметров МДП-транзисторов

Способ контроля параметров полупроводниковых диодных структур // 1274558

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к полупроводниковому приборостроению

Устройство для регистрации вольтфарадных характеристик // 1269060

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для проведения контроля качества полупроводниковых структур при производстве интегральных схем

Способ определения кристаллографической неоднородности полупроводниковых кристаллических образцов // 1268015

Изобретение относится к полупроводниковой технике может быть использовано для определения кристаллографической неоднородности тонких пластин сульфида кадмия

Способ определения энергетического положения точки lic - дна долины l нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки // 1268013

Способ измерения параметров глубоких уровней в полупроводниках // 1250107

Способ определения механической прочности диэлектриков и полупроводников // 1250106

Устройство для измерения гистерезиса @ характеристик // 1247797

Изобретение относится к измерительной технике

Устройство для регистрации параметров мдп-структур // 1247795

Изобретение относится к электронной технике

Устройство для коррекции характеристик нелинейных элементов // 1242862

Изобретение относится к устройствам для коррекции характеристик управления полевых транзисторов, варикапов и других нелинейньпс элементов (НЭ) с повьпленной нелинейностью и температурной стабильностью в широком динамическом диапазоне коррекции и может быть использовано в качестве образцовых, управляемых электронным путем проводимостей при автоматизации измерений и других технологических процессов

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349