Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

 

Изобретение относится к области вычислительной техники н может быть иснользовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности канала для продвижения ЦМД. Канал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены пермаллоевые элементы 2 в форме несимметричных .полудисков, у которых приемные перемычки 3 выполнены большей длины, чем передающие перемычки 4, и расположены под углом а 43-47° к оси капала, причем зазор б между смежными несимметричными полудиеками равен среднему значению диаметра ЦМД d. Указанное расположение элементов 2 по отношению к оси кана.па позволяет мини.мизировать расстояние между приемной 3 и передаюн1ей 4 перемычками , увеличить градиент полей рассеяния и обеспечить более надежный переход ЦМД через зазоры между элементами. 1 ил. Ф

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК цп 4 G ll С ll 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСН0МУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (2l) 3927789/24-24 (22) 10.07.85 (46) 30.03.87. Бюл. № 12 (72) Г. F.. Хавич (53) 681.327.66 (088.8) (56) 1ЕЕЕ 1. Solid State Circ., № 5, 1983, р. 567--571. ,Заявка ЕПВ № 0099750, кл.. G 11 С 19/08, 1984. (54) КЛНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) . Целью изобретения является

„„SU„, 1300561 А1 повышение надежности канала для продвижения ЦМД. Канал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены пермаллоевые элементы 2 в форме несимметричIblx полудисков, у которых приемные перемычки 3 выполнены большей длины, чем передающие перемычки 4, и расположены под углом а=43 — 47" к оси канала, причем зазор о между смежными несимметричными полудисками равен среднему значению диаметра ЦМД d Указанное расположение элементов 2 по отношению к оси канала позволяет минимизировать расстояние между приемной 3 и передающей 4 перемычками, увеличить градиент полей рассеяния и обеспечить более надежный переход ЦМД через зазоры между элементами. 1 ил.

1300561

Форлила игобретекия

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Н. Горват Техред И. Верес Корректор М. Самборская

Заказ 829/52 Тираж 590 Подписное

ВИИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж- 35, Рауьпская наб., д 4/5

Производств< нно-полиграфическое предприятие, г Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение надежности канала для продвижения ЦМД, На чертеже изображена конструкция канала для продвижения ЦМД.

Канал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены пермаллоевые элементы 2 в форме несимметричных полудисков, у которых приемные перемычки

3 выполнены большей длины, чем передающие перемычки 4, и расположены под углом я=43 — 47 к оси канала, причем зазор о между смежными несимметричными 15 полудисками 2 равен среднему значению ди ам етра ЦМД i(.

Указанное расположение элементов 2 по отношению к оси канала позволяет минимизировать расстояние между приемной 3 и передающей 4 перемычками, которое в данном случае равно ширине зазора 6 (или диаметру ЦМД d), что примерно в 1,8 раза меньше, чем в прототипе. В результате этого градиент магнитных нолей рассеивания увеличивается в 1,8 раза по сравнению с прототипом, Продвижение ЦМД в предложенном канале происходит так же как и в каналепрототипе вдоль внешней стороны пермаллоевых элементов 2 и через зазор между смежными элементами под действием гради- Зр ента нормальной составля1ощей магнитных полей рассеивания. Градиент нормальной составляющей магнитных полей рассеивания получается от элементов 2 при наличии вран1аю1цегося внешнего магнитного floля в плоскости магнитоодноосной пленки и однородного магнитного поля, нормального к плоскости пленки, для поддержания существования LIMII,. При этом градиент полей рассеивания, а следовательно, ЦМД перемещаются по внешней стороне элемента и через зазор между элементами синфаз<о с полем вращения. Наиболее критичным участком доменопродвижения является зазор о между смежными элементами, условием перехода через который является наличие достаточной величины градиента магнитных полей рассеивания, образуемых концами передающей и приемной перемычек в .фазе вращающегося поля, когда ЦМД находится на кон 1е передаю1цей перемычки элемента.

Уменьшение расстояния между этими перемычками приводит к увеличению градиента полей рассеяния и более надежному переходу ЦМД через зазоры между элементами.

Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержа гций ма гнитоодноосную пленку, на которой последовательно расположены Ilc ðì àëëoåâûå элементы в форме несимметричных полудисков, у которых приемные перемычки выполнены большей длины, чем передающие перемычки, причем зазоры между несимметричными полудисками равны среднему значению диаметра цилиндрического магнитного домена в магнитоодноосной и Iell e, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности канала, приемные перемычки несимметричных полудисков расположены под углом 43 — 47 к оси канала.