Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов, включающий создание механического напряжения в соединения кристалла и основания корпуса прибора, измерение параметра, характеризующего качество соединения кристалла и основания корпуса, и сравнение его с эталонным, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, механическое напряжение создают сжатием или растяжением основания корпуса прибора, измеряют относительную деформацию корпуса, параметр, характеризующий качество соединения кристалла и основания корпуса, измеряют при величине относительной деформации основания корпуса прибора в пределах 10^-1 - 10^-3, при этом в качестве параметра, характеризующего качество соединения кристалла и основания корпуса, используют электрический параметр, характеризующий контролируемый прибор и зависящий от деформации.

Способ определения теплового сопротивления лавинно- пролетных диодов // 1292456

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении и контроле лавинно-пролетных диодов

Способ контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов // 1290869

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля тепловой устойчивости транзисторов в импульсных режимах

Способ определения концентрации примеси и глубины залегания р-п-перехода встроенного канала мдп-транзисторов // 1283874

Изобретение относится к метрологии полупроводниковых приборов,, в частности к способам определения параметров МДП-транзисторов

Способ бесконтактного измерения емкости полупроводника и устройство для его осуществления // 1271231

Способ определения коэффициента фотоэлектрической связи между чувствительными площадками многоэлементного фотоприемника // 1269059

Устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых диодов // 1265662

Способ контроля надежности полупроводниковых приборов // 1265661

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к контролю полупроводниковых приборов

Устройство для определения постоянной времени коллекторной цепи транзистора // 1264115

Изобретение относится к измерительной технике

Устройство для контроля полупроводниковых приборов // 1260883

Изобретение относится к области измерительной техники

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим