Ячейка памяти

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в репрограммируемых запоминающих устройствах. Цель изобретения - повышение быстродействия ячейки. Ячейка памяти содержит подложку, электроды и активный элемент из полупроводникового стекла. Запись и стирание информации осуществляются подачей разнополярных импульсов напряжения на соответствующие электроды. При записи (стирании) между одной парой электродов формируется низкоомное состояние активного элемента, между другой парой - высокоомное. Стирание осуществляется изменением полярности импульсов. 1 ил. со ьо сд СП Oi го

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 G 11 С 11/34

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

/ „"Р -7

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H А BTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3975669/24-24 (22) 10.11.85 (46) 23.07.87. Бюл. № 27 (71) Днепропетровский государственный университет им. 300-летия воссоединения Украины с Россией (72) А.И.Ивон, И.M.Черненко, А.А.Андреев и П.IO.Òêà÷åíêo (53) 681.327.66(088.8) (56) Патент Франции N- 2243526, кл. G 11 С 11/34, Н 01 L 29/00, опублик. 1975.

Патент Франции № 2407572, кл. Н 01 L 45/00, опублик. 1979.

ÄÄSUÄÄ 1325562 А1 (54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычисли— тельной технике и может быть исполь— зовано в репрограммируемых запоминающих устройствах. Цель изобретения повышение быстродействия ячейки.

Ячейка памяти содержит подложку, электроды и активный элемент из полупроводникового стекла. Запись и стирание информации осуществляются подачей разнополярных импульсов напряжения на соответствующие электроды.

При записи (стирании) между одной парой электродов формируется низкоомное состояние активного элемента, между другой парой — высокоомное.

Стирание осуществляется изменением полярности импульсов. 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, может быть использовано в репрограммируемых запоминающих устройствах.

Целью изобретения является повыше5 ние быстродействия ячейки памяти.

На чертеже представлена конструкция ячейки памяти.

Ячейка памяти состоит из диэлектрической подложки 1, на которую нанесены электроды 2 и 3 записи и электроды 4 и 5 считывания. На подложку

1 и электроды 2 — 5 нанесен слой 6 полупроводникового стекла. Расстояние между электродами 2 и 3 записи не ме— нее чем на порядок больше расстояния между электродами 2,4 и 3,5. Расстояния между электродами 2,4 и 3,5 одинаковы.

Ячейка работает следующим образом.

Запись и стирание информации осуществляется одновременной подачей разнополярных импульсов напряжения с одинаковой длительностью и амплиту — 26 дой на электроды 2 и 3 записи. Для считывания информации используются электроды 2 и 4 или 3 и 5. В исход— ном состоянии сопротивление стекла между электродами 2 — 5 велико. При за- о писи между электродами 2 и 3 записи и ближайшим электродом 4 считывания формируется низкоомный канал, для другой пары электродов 3 и 4 сбеспе— чивается высокоомное состояние стекла. Если низкоомное состояние стекла

62 2 отвечает логическому нулю, то высокоомное — логической единице. Для перезаписи (стирания) информации доста— точно изменить полярность импульсов, прикладываемых к электродам 2 и 3 записи. При этом низкоомный канал, замыкающий одну пару электродов (например, 3 и 5) разрушается, а для другой пары (соответственно 2 и 4) формируется. За пределами пар элек— тродов 3,5 и 2,4 сохраняется высокоомное состояние стекла.

В качестве подложки можно использовать ситалл, для изготовления электродов — платину 1можно золото, никель), в качестве стекла используют

W0> и д

Формула. изобретения

Ячейка памяти, содержащая диэлектрическую подложку, электроды записи и считывания, расположенные на поверхности диэлектрической подложки, слой из полупроводникового стекла, размещенный на поверхности диэлек— трической подложки с частичным перекрытием краев электродов, о т л и ч а ю щ а я с. я тем, что, с целью повышения быстродействия, в ячейку памяти введены два дополнительных электрода, расположенные на поверхности диэлектрической подложки между двумя основными электродами

ВНИ11ПИ Заказ 3116/49 Тираж 589 Подп: =--=

Пр м.зв . -полигр . пр — —.ие, г . Ужгород „ул. Проектная.,