Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

 

Изобретение относится к вычислительной технике. Цель изобретения - повышение надежности запоминающих матриц путем сохранения геометрических размеров матрицы. Способ включает натяжение технологических струи, образование зева между ними путем их разведения, расположение плоскости разведенных технологических струн под углом к плоскости неразведенных технологических струн при неизменном угле наклона между плоскостями зева, формовку проводника технологическими струнами в направлении от вершины угла , образованного плоскостями зева, посредством закрытия зева при неизменном угле наклона между плоскостями зева до полного завершения формовки , совмещение плоскостей зева в зоне плетения, перемещение сформованного лроводника к адресным обмоткам, зализку компаундом и извлечение технологических струн. Новым в способе изготовления является прокладывание проводника в зеве со стороны вершины угла , образованного плоскостями зева, и переведение разведенных технологических струн в обратный зев с сохранением угла наклона плоскостей технологических струн, равным углу наклона плоскостей струн при.прямом зеве . 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) 01) А2 (5ц4 G 11 С 11 14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

H Д ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61). 959160 (21) 3965778/24-24 (22) 21. 10. 85 (46) 30.07.87. Бюл. У 28 . (72) Н.В,Косинов, В.M.Êóçìåíêî, В.A.Äðoáíîõoä и М.Г.Лисица (53) 681.327.6 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 959160, кл. G 11 С 11/14, 1981. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике. Цель изобретения— повышение надежности запоминающих матриц путем сохранения геометрических размеров матрицы, Способ включает натяжение технологических струн, образование зева между ними путем их разведения, расположение плоскости разведенных технологических струн под углом к плоскости неразведенных технологических струн при неизменном угле наклона между плоскостями зева, формовку проводника технологическими струнами в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством закрытия зева при неизменном угле наклона между плоскостями зева до полного завершения формовки, совмещение плоскостей зева в зоне плетения, перемещение сформованного проводника к адресным обмоткам, заливку компаундом и извлечение технологических струн. Новым в способе изготовления является прокладывание проводника в зеве со стороны вершины угла, образованного плоскостями зева, и переведение разведенных технологических струн в обратный зев с сохранением угла наклона плоскостей технологических струн, равным углу наклона плоскостей струн при.прямом зеве. 3 ил.

1327184

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении матриц памя- ти запоминающих устройств на цилин5дрических магнитных пленках (ЦМП) и является усовершенствованием способа по авт. св. Р 959160.

Целью изобретения является повышение надежности запоминающих матриц g путем сохранения геометрических размеров матрицы.

Сущность предлагаемого способа состоит в том, что на специальном устройстве или ткацком станке натягива- 15 ют в качестве основы технологические струны и разводят их для образования зева. При этом плоскость разведенных технологических струн располагают под углом к плоскости неразведенных технологических струн. Для этого при разведении струн высоту разведения в зоне формовки увеличивают от струны к струне, сохраняя неизменным угол между плоскостями зева. В образованный технологическими струнами зев вводят проводник адресной обмотки со стороны вершины угла, образованного

I плоскостями зева. При формовке проводника разведенные технологические стру- зп ны переводят в обратный зев, сохраняя угол наклона плоскостей техн оло гиче ских струн равным углу наклона плоскостей струн.при прямом зеве, Формовку проводника осуществляют в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством его закрытия при неизменном угле наклона между плоскостями зева. При этом за счет того, что проводник в зеве проклады- 40 вает со стороны вершины угла, образованного плоскостями зева, а разведенные технологические струны переводят в обратный зев, технологические струны, расположенные на стороне, противоположной свободному концу проводника, оказываются более жесткими, чем струны, расположенные на стороне свободного конца проводника.„за счет того, что высота их разведения в обратном зеве ка стороне, противоположной свободному концу проводника, становится большей, а на стороне свободного конца проводника становится меньшей. Это приводит к тому, что глубина формовки проводника по всей его длине становится равномерной.

Сохранение угла наклона плоскостей технологических струн в обратном зеве равным углу наклона плоскостей технологических струн при прямом зеве обеспечивает одинаковые условия формовки проводника при плетении последующих витков адресных обмоток при прокладке проводника как слева направо так и справа налево со стороны вершины угла, образованного плоскостями технологических струн. Сформировапные проводники перемещают к адресным обмоткам, заливают компаундом и извлекают технологические струны.

На фиг,1 изображена прокладкапроводника в зеве со стороны вершины угла зева, на фиг.2 — разрез А-А на фиг.1; на фиг.3 — то же, после перевода разведенных технологических струн в обратный зев, На чертеже показаны технологические струны i и 2, зев 3, провод 4 адресной обмотки, витки 5 адресной обмотки, обратный зев 6, угол.4 между плоскостями разведенных и неразведенных технологических струн.

В соответствии с предлагаемым спо- собом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляется следующим образом.

В качестве основы натягивают технологические струны 1 и 2, с помощью ремизных рам (не показаны) их разводят и образуют зев 3, при этом плоскость, образованная струнами 1, составляет с плоскостью, образованной струнами 2, угол К, В зев 3 со стороны вершины угла вводят провод 4 адресной обмотки 5. Формование провода

4 происходит при закрытии зева 3 после перевода разведенных технологических струн в обратный зев 6 с сохранением угла наклона между плоскостями струн 1 и 2.

Формовку провода 4 осуществляют техноло ическими струнами от вершины угла, образованного плоскостями технологических струн 1 и 2, в направлении свободного конца провода 4.

Угол между плоскостями технологических струн сохраняется неизменным до конца формовки провода 4. Свободный конец провода 4 нри формовке втягивают из более широкой части в зону формовки за счет то.го что при переводе разведQHHblz технологических струн

1 в обратный зев жесткость струк 1 на стороне, противоположной свободному концу провода 4, увеличивается, а на стороне свободного конца прово3 1З27 да 4 уменьшается, происходит выравнивание глубины формовки провода 4 по всей его длине. За счет одинаковой глубины формовки провода 4 технологическими струнами 1 и 2 по всей его длине технологические струны 1 и 2, располагаясь в сформированных витках одинаковой глубины, не отклоняются от нейтрального положения в сплетенной матрице. Это обеспечивает сохра- tg некие геометрических размеров матрицы, что обеспечивает, в свою очередь, одинаковые условия намагничивания участков ЦМП, а также позволяет исключить обрывы технологических струн 15 при их извлечении из матрицы íà ïîследующих стадиях технологического процесса и приводит к образованию каналов в матрице после извлечения струн

184 с необходимыми геометрическими параметрами. Формула из обре тения

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках по авт. св. ¹ 959160, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности запоминающих матриц путем сохранения их геометрических размеров, проводник в зеве прокладывают со стороны вершины угла, образованного плоскостями зева, а при формовке проводника разведенные технологические струны переводят в обратный зев с углом наклона плоскостей технологических струн, равным углу наклона плоскостей при прямом зеве.

1327184

Составитель В.Г.Гордонова

Техред Л.Олийнык Корректор Л.Пилипенко

Редактор И.Рыбченко

Заказ 3404/49 Тираж 589

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие., г.ужгород, ул.Проектная,4