Способ обнаружения дефектов в доменосодержащих эпитаксиальных пленках
Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники и может быть использовано для контроля качества и однородности доменосодержащих монокристаллических эпитаксиальных пленок. Целью изобретения является упрощение способа и повышение его быстродействия. Способ выявления дефектов заключается в следующем . На локальный участок размагниченной пленки воздействуют импульсом магнитного поля смещения, достаточным для полного перемагничивания этого участка. После окончания действия импульса на этом локальном участке происходит формирование либо радиально сходящихся полосовых доменов в случае отсутствия на нем дефектов , либо доменной структуры, в которой на фоне радиально сходящихся по./1псовых доменов присутствуют радиально-гребенчатые домены в виде «чечевицы, в случае наличия дефектов. Дефекты обнаруживают по доменным структурам «чечевица на установке , выполненной на базе поляризационного .микроскопа. lo: с кэ 1чЭ 00 СО
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК д11 4 Ct 11 С 11/14
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
К А BTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4041049/24-24 (22) 24.03.86 (46) 07.07.87. Бюл. № 25 (71) Донецкий физико-технический институт
AH УССР (72) Ф. Г. Барьяхтар, Ф. Л. Вайсман, В. Л. Дорман, А. В. Ковалев и И. В. Никонец (53) 681.327.6 (088.8) (56) IEEE Trans. Magn, 1974, ч. MAG — 10, № 3, р. 488 — 491.
Физика твердого тела, 1981, т. 23, вып. 6, с. 1735 — 1739. (54) СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В ДОМЕНОСОДЕРЖАЩИХ ЭП ИТАК.
СИАЛЬНЬ)Х ПЛЕНКАХ (57) Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники и может быть использовано для контроля качества и однородности доменосодержащих монокри„„SU„„1322373 А 1 сталлических эпитаксиальных пленок. Целью изобретения является упрощение способа и повышение его быстродействия. Способ выявления дефектов заключается в следующем. На локальный участок размагниченной пленки воздействуют импульсом магнитного поля смещения, достаточным для полного перемагничивания этого участка. После окончания действия импульса на этом локальном участке происходит формирование либо радиально сходящихся полосовых доменов в случае отсутствия на нем дефектов, либо доменной структуры, в которой на фоне радиально сходящихся полосовых доменов присутствуют радиально-гребенчатые домены в виде «чечевицы», в случае наличия дефектов. Дефекты обнаруживают по доменным структурам «чечевица» на установке, выполненной на базе поляризацнонного микроскопа.
f322373
f I 1t(lH.>.,(л «и (. II< °, гi, 1 l, (. h .(I(K(ëi((fi, I Ii(((((< (l 1(i ilii (и((.
I<)IIII I I I I,((, f(, i (и((>(„>и,;;., «. I !(. ll и, >П>Н(>(<ии,(«K Ki(i I I<>,f.(, спи i,(Л(1 I ., и(, (,:. ((,((> . и -i:> (<(. i,,(I i(<(i(„(; >и(П(l(! « i. (.». i!i (ii>! i 1!(, I . л<((П(ги >. I II(и- (.:((ч
Изобретение относитсH к магнитной микроэлектронике и может быть использовано для контроля качества и однородности доменосодержаших монокристt<ëëè÷åñêèK эпитаксиальных пленок, применяемых для
ooçëçtIèH устройств хранения и перераб<>гки информации ! !ель изобретения — >itfpofuett)<(с))осо6а повышение его быстродейс1иия. (.пособ обнару кения дс(!>ектон:<ак,)к. < а(Гся В следующс (1 !!а локальнь)й участок п,н нки, нахо tHшейся в р(1.)магнич(ином (осгояпии и имею
)цей лаГ)иринтну)<> дом(ннук> (г!>1 ктуру, подают магнитное иоле смеltl(ния, перпендикулярное плоскости пленки. с ампли тулой, величина KOTopoH:toñòàòo÷ttK ь()я перено.(а пленки на локальном уча TK(в наt till(íHo< монодоменное) состоянис. В ре<ультате по краям локального уча(тка
o6;>:) <уется доменная грани (а, ра )деляюпгая 20
l«< МОНОДОМЕННЫЕ О6ЛаСтИ с ПРОтИВОПО ,1(>ж,)<,)м напр;)вл(ш M намагниченности.
Л()т<. хl Ilол(ем(!l!<. l! и H с!)и ма K>T, tt р(3>, . t ьТа 1(Ч(ГО !) ИЗ В Ива(1 СЯ ll(Ъ <-ТОИЧИ ИОСТЬ ДОМЕНн о и г р (1 н и ц ы, с (!>О р м и р о в а н но )!1 l!o K p(t H M ,loкпльHoгo участка. >тО приводи) к формированикэ из нес системы полосовых vl(tt1)и>пых домен(>в, удлиняк>щихсл по направ —,(. il. )О, )и р)1(H t)
Р,).t)
lt(итром стpol о посередине локального <а(тка !!ри >Или (ии дефскта на иссле,1(см<)м учасгK(пленки после снятия поля смсщения персмагничивание пленки обуславливается двумя одновременно протекающими процессами: ростом радиа1hHo сходящихся
)голосовых доменов от границы локального участка и ростом радиально-гребешковых доменов, распространяющихся or дефекта, служащего центром зародышеобразования внутренней лабиринтной структуры. Процесс перемагничивания заканчивается в месте встречи двух разрастающихся навстречу друг другу доменных структур. Затем произво,)ят наблюдение полученной на локальном участке структуры магнитных доменов с использованием магнитооптического эффекта Фарадея на установке, выполненной на базе поляризационного микроскопа.
Длительность подачи поля смещения долж н а быть достаточной дл я полного перемагничивания локального участка пленки. Обычно достаточно подать прямоугольный импульс поля смещения длительностью — 3 мкс> которое может быть создано с помощью катушки небольшого размера, например с внутренним диаметром !
- 3мм.
Предлагаемый способ позволяет визуальllo Об>наружить дефекты в доме носодержа шикх пленках, которые обнаруживают себя в виде доменной структуры в форме
«чечевицы» на фоне радиально сходящихся поло oRblx доменов, причем для этого используются простые аппаратные средства, а время наблюдения любого локального участка не ограничено.
Форму,га изобретения
Гл)особ обнаружения дефектов в доменосодержащих эпитаксиальных пленках, включающий воздействие на локальный участок пленки импульсом магнитного поля сме)цения, отличаю(цийся тем, что, с целью упро)цения способа и повышения его быстродействия, на размагниченную доменосодержа)цую пленку подают импульс магнитного поля смещения до полного перемагничивания локального участка пленки и по радиально-гребенчатым доменам в доменной структуре в виде «чечевицы» на фоне радиально сходящихся полосовых доменов су. дят о наличии дефектов.
