Способ изготовления фотоанодов на основе внутреннего активного p-n-перехода
Способ изготовления фотоанодов на основе внутреннего активного p-n-перехода, включающий осаждение на пластину кремния n-типа проводимости источника диффузанта, содержащего оксид бора, термообработку, формирование защитного слоя с лицевой стороны и омического контакта с обратной стороны пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотоанодов за счет улучшения однородности диффузионной области, легированной бором, удешевления процесса, источник диффузанта дополнительно содержит оксид одного из редкоземельных элементов и диоксид кремния при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксид бора - 1-30 Оксид редкоземельного элемента - 5-50 Диоксид кремния - Остальное а защитный слой формируют путем обработки пластины в плавиковой кислоте при одновременном фотонном облучении с длиной волны 500-1200 нм.
