Способ измерения параметров облучения, заключающийся в том, что пробу алмазного порошка помещают в зону облучения, выдерживают в течение времени облучения, извлекают и, определив рентгенографически расширение кристаллической решетки алмаза, устанавливают по нему температуру (Т) облучения, отличающийся тем, что, с целью определения одновременно с температурой флюенса нейтронов (F) при снижении трудоемкости способа, часть пробы алмазного порошка предварительно облучают при температуре 70 - 100oC флюенсом нейтронов 5 
1019 - 5 1020 см-2 с энергией более 0,5 МэЭ, в зону облучения помещают пробу смеси облученного и необлученного порошков и, определяя рентгенографически расширение кристаллической решетки алмаза этой пробы, устанавливают флюенс нейтронов по разности расширений кристаллической решетки алмаза в предварительно облученной (
V/V)o и необлученной (V/V)н частях пробы и по предварительно построенному градуировочному графику [(V/V)н-(V/V)o]~
(F).
Похожие патенты:
Изобретение относится к области рентгеновского приборостроения и может использоваться для изучения структуры и контроля термообработки длинномерных образцов в виде проволоки или ленты
Изобретение относится к области рентгеновского приборостроения и может быть использовано для испытания различных материалов при постоянной и переменной нагрузках
Изобретение относится к рентгеновской дифрактометрической аппаратуре для исследования монокристаллов
Изобретение относится к области рентгенографического контроля материалов ,а именно К; рентгенофазовому анализу высокодисперсных каталитических систем при высоких температурах
Изобретение относится к области изучения структуры металлических, оксидных и солевых расплавов с помощью сфокусированного пучка электронов и может быть использовано для исследования структуры их приповерхностных слоев
Изобретение относится к области физико-химического анализа материалов , а точнее к способам контроля свойств поверхностей
Изобретение относится к экспериментальной и технической физике и может быть использовано при исследованиях структуры тверда1Х тел в материаловедении и технологии обработки материалов
Изобретение относится к определению реальной структуры монокристаллов и физическо14у материаловедению и может быть использовано для определения количественных характеристик никродефектов в объеме монокристалла
Изобретение относится к области определения реальной структуры монокристаллов и фиэическо м/ материаловедению и может быть использовано для определения количественных характеристик микродефектов в объеме, исследуемого мо ноКристалла , а именно их if.
Изобретение относится к области медицины, а именно к гемостазиологическим аспектам акушерства и гинекологии, и может быть использовано врачами других специальностей
Изобретение относится к области ядерной энергетики для космических аппаратов и, в частности, к теневым радиационным защитам (РЗ), выполненным из гидрида лития, и касается технологии изготовления в части проведения контроля их геометрии, определяющей контур теневой защищаемой зоны, создаваемой защитой на космическом аппарате
Изобретение относится к технике рентгеноструктурного анализа и касается методов настройки и юстировки гониометрических устройств рентгеновских дифрактометров типа "ДРОН"
Изобретение относится к технологии анализа биологических материалов, а именно к способам определения фракционного состава (ФС) липопротеинов (ЛП) в плазме крови методом малоуглового рентгеновского рассеяния (МУРР) для последующей диагностики состояния организма человека
Изобретение относится к устройствам для рентгеновской типографии и может быть использовано для определения структуры сложного неоднородного объекта и идентификации веществ, его составляющих
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для оценки качества деталей при их изготовлении и ремонте, а конкретно - дефектоскопии с использованием радиоактивных источников ионизирующего излучения и коллимированных блоков детекторов
