Устройство согласования

 

Изобретение относится к импульсной технике. Устройство согласования содержит транзисторы 1 и 15 второго типа проводимости (ТП), транзисторы 2, 3 и 7 первого ТП, диоды Шоттки 4, 5, 8-10, неуправляемый источник тока на р-п р транзисторе 11 и резисторе 12, инжектор второго транзистора на транзисторе 13 и резисторе 14, шину 18 питания, резисторы 16 и 17. Изобретение снижает потребляемую мощность. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) А2

rs)) 4 H 03 К 19 091

ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ.13

А BTOPGKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

-г

УААРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

61) 1173552

21) 4083476/24-21

22) 02.07 ° 86

46) 23.01.88. Бюл. М 3

71) Таганрогский радиотехнический нститут им. В.Д.Калмыкова

72) С.П.Тяжкун, Ю.И.Рогозов

И.П.Сорокина

53) 621.374(088.8)

56) Авторское свидетельство СССР

1173552, кл. Н 03 К 19/091, 1984. (54) УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ (57) Изобретение относится к импульсной технике. Устройство согласования содержит транзисторы 1 и 15 второго типа проводимости (ТП), транзисторы

2, 3 и 7 первого ТП, диоды Шоттки 4, 5, 8-10, неуправляемый источник тока на р-и-р-транзисторе 11 и резисторе

12, инжектор второго транзистора на транзисторе 13 и резисторе 14, шину

18 питания, резисторы 16 и 17. Изобретение снижает потребляемую мощность.

1 ил.

1 368976

Изобретение относится к импульсной технике, предназначено для согласования уровней базовых схем БИС инжекционного типа с уровнями ТТЛ схем и является усовершенсгвованием известного устройства по авт. св. У 1173552.

Цель изобретения — снижение потребляемой мощности.

На чертеже изображена принципиальная схема устройства согласования.

Устройство согласования содержит третий транзистор 1 второго типа проводимости, первый транзистор 2 первого типа проводимости, второй транзистор 3 первого типа проводимости, второй и первый диоды Шоттки 4 и 5 и резистор 6, четвертый транзистор 7 первого типа проводимости, третий 8, четвертый 9 и пятый 10 диоды Шоттки, неуправляемый источник тока на р-и-ртранзисторе 11 и резисторе 12, инжектор второго транзистора на транзисторе 13 и резисторе 14, пятый транзистор 15 второго типа проводимости и второй 16 и первый 17 резисторы, причем транзисторы 1 и 2 включены последовательно между шиной 18 питания и общей шиной, коллекторы транзит ров

1 и 2 соединены и являются выходом 19 устройства, база транзистора 3 соединена с первым коллектором транзистора

11 и через диод Шоттки, включенный ,в прямом направлении, связана с входом 20 устройства и базой транзистора 13, коллектор которого соединен с базой транзистора 2 и через диод Шоттки 5, включенный в прямом направлении, связан с коллектором транзистора 3, коллектор которого через резистор 6 связан с базой транзистора 1, база транзистора 7 соединена с вторым коллектором транзистора 11 и через диод Шоттки 8, включенный в прямом направлении, связана с входом 20 устройства, коллектор транзистора 7. через диоды Шоттки 9 и 10, включенные в обратном направлении, связан с базами соответственно транзисторов 3 и 2, а через резистор 16 связан с базой транзистора 15, коллектор которого соединен с выходом 19 устройства, а эмиттер через резистор 17 связан с шиной 18 питания, резисторы

12 и 14 включены между дополнительной шиной 21 питания и соответственно эмиттерами транзисторов 11 и 13, эмиттеры транзисторов 3 и 7 и база

55 транзистора 11 соединены с общей шиной.

Устройство согласования работает следующим образом.

При низком уровне входного напряжения транзисторы 3 и 7 закрыты, соответственно закрыты и транзисторы 1 и 15. Открытый транзистор 13 задает базовый ток транзистора 2 и на выходе 19 устройства согласования формируется низкий уровень напряжения.

При изменении уровня входного напряжения от низкого до высокого запирается транзистор 13. Током коллекторов транзистора 11 начинают отпираться транзисторы 3 и 7. Причем транзистор 3 отпирается быстрее, за счет большей площади первого коллектора транзистора 11 и соответственно большего тока перезаряда емкости база-эмиттер транзистора 3. Открытый транзистор 3 через диод Шоттки 5 быстро рассасывает избыточный заряд в базе транзистора 2 и запирает этот транзистор. Через резистор 6 протекает базовый ток транзистора 1, который открывается и заряжает емкость нагрузки на выходе 19. устройства. По-, сле отпирания и перехода в режим насыщения транзистора 7 запирается транзистор .3, открывается транзистор

15 и поддерживается закрытое состояние транзистора 2. Запирание транзистора 3 приводит к запиранию транзистора 2 и вершина импульса выходного напряжения формируется открытым транзистором 15. Причем сопротивление резистора 16 значительно больше, чем резистора 6, и, соответственно, выходное сопротивление устройства при открытом транзисторе 15 эа счет резистора 17 значительно больше, чем при открытом транзисторе 1.

Таким образом, транзистор 1 обес-. печивает быстрый заряд емкости нагрузки, а транзистор 15 только поддерживает выходное напряжение на высоком уровне. В данном случае используется особенность нагрузки в виде

ТТЛ или КМОП схем, заключающаяся в том, что при формировании фронта нарастания напряжения необходим ток на два нли даже три порядка больший, чем при формировании вершины.

При изменении входного напряжения устройства от высокого к низкому одновременно начинает открываться транзистор 13 и запираться транзистор 7

1368976

ТТЛ или КМОП и тока формирования фронта нарастания этого напряжения.

Составитель А.Янов

Техред А.Кравчук Корректор И Эрдеии

Редактор М.Бланар

Тираж 928 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 315/56

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 (транзистор 3 уже закрыт транзистором 7). Далее начинается процесс отпирания транзистора 2 и запирания транзистора 15. При этом также, как в известных схемах, существует момент времени, когда открыты оба транзистора 2 и 15. Однако в предлагаемой схеме сквозной ток через транзисторы

2 и 15 ограничен резистором 17 и на два порядка меньше, чем в известных устройствах, так как транзистор 1 закрыт еще при формировании вершины импульса.

Поэтому предлагаемое устройство 15 потребляет меньшую мощность, обусловенную сквозными токами при переклюениях. Устройство также потребляет еньшую мощность эа счет меньшего ока управления транзистором 15 через 2р езистор 16 по сравнению с током упавления, протекающим через резистор

Отношение этих токов управления лизко к отношению тока формирования

ысокого уровня напряжения на входе 25

Формула и э обретения

Устройство согласования по авт. св.

9 1173552, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью снижения потребляемой мощности, введены два резистора, три диода Шоттки, четвертый транзистор первого типа проводимости и пятый транзистор второго, типа проводимости, эмиттер которого через первый резистор подключен к шине питания, коллектор — к выходу, а база через второй резистор — к коллектору четвертого транзистора, база которого соединена с дополнительным коллектором инжектора второго транзистора и через третий диод Шоттки подключена к входу, эмиттер соединен с общей шиной, а коллектор соответственно через четвертый и пятый диоды соединен с базами второго и первого транзисторов.