Устройство согласования

 

Изобретение относится к импульсной технике. Может быть использовано для согласования уровней цифровых устройств инжекционного типа с ТТЛ-уровнями магистралей коллективного использования. Цель изобретения - расширение области применения путем обеспечения высокоимпедансного состояния на выходе. Устройство содержит р-п-р-транзисторы 1,8, п-р-п-транзисторы 4,5,6,7. Для достижения поставленной цели в устройство введены инжекционные п-р-п-транзисторы 2,3. 2 ил. (Л фиг.1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (511 Н 03 К 19/091, 1д) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4022762/24-21 (22) 13.02.86 (46) 30.07.87. Бюл. Ф 28 (71) Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова (72) 10.И.Рогозов, С.П.Тяжкун и И.П.Сорокина (53) 621.374(088.8) (56) Алексенко А.Г., Шагурин Н.И.

Микросхемотехника. — M.: Радио и связь, 1982, с.94, рис ° 2.33.

Аваев Н.А. и др. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. — М.: Советское радио, 1997, с.187, рис.5.20.

ÄÄSUÄÄ 1 272 6 А1 (54) УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ (57) Изобретение относится к импульсной технике. Может быть использовано для согласования уровней цифровых устройств инжекционного типа с ТТЛ-уровнями магистралей коллективного использования. Цель изобретения — расширение области применения путем обеспечения высокоимпедансного состояния на выходе. Устройство содержит р-и-р-транзисторы 1,8, и-р-и-транзисторы 4,5,6,7. Дпя достижения поставленной цели в устройство введены инжекционные и-р-и-транзисторы 2,3. 2 ил.

1327286

Изобретение относится к импульсной технике и предназначена для согласования уровней цифровых устройств инжекционного типа с ТТЛ-уровнями !

Э магистралей коллективного использования.

Цель изобретения — расширение области применения путем обеспечения высокоимпедансного состояния на выходе для работы на магистраль колЛективного пользования.

На фиг.1 приведена принципиальная электрическая схема устройства согласования; на фиг.2 — пример функ- !б ционально †топологическ схемы устройства согласования.

Устройство согласования (фиг.1) содержит р-и-р-транзистор 1, четвертый инжекционный и-р-п-транзистор 2, 2п ( третий инжекционный и-р-п-транзистор

Э, второй инжекционный и-р-и транзистор 4, первый инжекционный и-р-итранзистор 5, первый и-р-и-транзистор 6, второй и-р-и-транзистор 7, инжектирующий р-и-р-транзистор 8, эмиттер р-и — р-транзистора 1 соединен с шиной 9 питания, второй дополнительный коллектор и база р-и-ртранзистора I соединены с вторым кол- З0 лектором и-р-и-транзистора 2, первый коллектор и база последнего объединены с третьим коллектором и-р-п-транзистора 3, база которого соединена с управляющим входом 10, а второй коллектор соединен с первым дополнительным коллектором р-и-р-транзистора 1,.коллектором и-р-и -транзистора

5 и базой п-р — и-транзистора 7, коллектор последнего соединен с выхо- 40 дом 11 и эмиттером и-р-и-транзистора

6, база которого объединеча с кол-! пектором Il ð-и-транзистора 7, коллектором р-и-р-транзистора !, первый коллектором п-р — п-транзистора 3 и вто- qr, рым коллектором п-р-II-òpàíçèñòoðà 4, база последнего подключена к информационному входу 12, первый коллектор и-р-и-транзистора 4 соединен с базой и-р-п-транзистора 5, коллектор и-р-и- r o транзистора 6 соединен с первой шиной 9, а эмиттер р-п-р-транзистора 8 соединен с дополнительной шиной 13 питания, эмиттеры п-р-и-транзисторов

2 — 5, 7 и база р-и-р-транзистора 8 соединены с общей шиной, а соответствующие коллекторы р-и-р-транзистора 8 соединены с базами п-р-и-транзисторов

2 — 5.

В режиме передачи информации на управляющий вход 10 подается сигнал низкого логического уровня. В этом случае п-р-и-транзистор 3 закрыт, п-р-и-транзистор 2 открыт, следовательно, р-и-р-транзистор 1 будет инжектировать ток. Закрытый и-р-и-транзистор 3 не влияет на состояние п-р-итранзисторов 6,, 7 управление которыми осуществляется и-р-и-транзисторами 4 и 5. Предположим, что в начальный момент времени HB информационный вход 12 подается сигнал высокого логического уровня. Следовательно, и-р-и-транзистор 4 будет насыщен, а и-р-и-транзистор 5 закрыт, поэтому и-р-и-транзистор 6 будет закрыт, а и-р-и-транзистор 7 . — открыт, на выходе 11 устройства установится сигнал низкого логического уровня. При появлении на информационном входе 12 сигнала низкого логического уровня, закроется и-р-и-транзистор 4, после чего откроется и-р-и-транзистор 5. При эапирании и-р-и-транзистора 4, и-р-птранзистор 6 не откроется, т.е. не будет сквозного тока, так как ток, инжектируемый р-и-р-транзистором 1 в базу п-p — n-транзистора 6, будет отбираться коллектором и-р-и-транзистора 7. Только после запирания и-р-итранзистора 7 начнет открываться и-р-п-транзистор 6. Следовательно, по окончании укаэанного выше переход-, ! ного процесса на выходе 11 устройства установится сигнал высокого логического уровня. Если в следующий момент времени на. информационный вход

12 будет подан сигнал высокого логического уровня, то и-р-и-транзистор

4 откроется и лишь затем начнет закрываться п — р-и-транзистор 5, после чего начнет отпираться п-р-п-транзистор 7. Таким образом, и-р-и-транзистор 7 открывается после запирания п-р.-n-транзистора 6, что исключает сквозной ток в выходном каскаде.

Если на управляющий вход 10 будет подан сигнал высокого логического уровня, то ток, который будет еще инжектироваться р-Il — р-транзистором 1 (до запирания транзисторов 2, 1) будет отбираться коллекторами и-р-итранзистора 3, следовательно, и-р-итранзисторы 6 и 7 закроются. На выходе 11 установится высокоимпедансное состояние. тора.

Составитель А.Янов

Редактор N.Òoâòèí Техред В.Кадар Корректор В. Бутяга

Заказ 3407/54 Тираж 901 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие,г.ужгород,ул.Проектная,4 з 133728 ф о р м у л а и з обре т е н и я

Устройство согласования, содержащее первый п-р-п-транзистор, коллектор которого соединен с шиной питания и эмиттером р-п-р-транзистора, база

5 с коллектором р-п-р-транзистора, а эмиттер — с выходом и коллектором второго п-р-п-транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база — с коллектором первого инжекционного п-р-п-транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к первому коллектору второго инжекционного n-p-и-транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к информационному входу устройства, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения области применения, в него введены третий и четвертый инжекционные п-р-п-транзисторы, эмиттеры которых соединены с общей шиной, база третьего инжекционного п-р-n †транзистора соединена с управляющим входом устройства, первый коллектор — с вторым коллектором второго инжекционного n — p-п-транзистора, дополнительным коллектором второго и-р-п-транзистора и коллектором р — и-р-транзистора, первый дополнительный коллектор которого подключен к базе второго п-р-п-транзистора и второму коллектору третьего инжекционного и — р-п-транзистора, третий коллектор которого соединен с базой и первым коллектором четвертого инжекционного и-р-итранзистора, второй коллектор которого подключен к базе и второму дополнительному коллектору р-и-р-транэис