Способ измерения температуры структуры тиристоров

 

Изобретение относится к способам измерения температуры тиристоров, используемым при производстве и эксплуатации мощных тиристоров. Целью изобретения является повьачение точности и достоверности измерений. Перед измерением температуры со скоростью , обеспечивающей стационарность процессов в структуре исследуемого тиристора, изменяют ток управления от нуля до значения 1 , при котором термочувств 1тельный параметр, например напряжение анод-катод, начинает возрастать после его спада. Температуру структуры тиристора измеряют при токе управления, составляющем 1 - 1,5)1о„т 2 ил. Ш (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

15Ц 4 G 01 R 31/26 с ;,, rQ

27

%ЩИ .

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 600483 (2 1) 3793190/24-21 (22) 24.09,84 (46) 30.04.88. Бюл. 11 - 16 (71) Научно-исследовательский институт по передаче электроэнергии постоянным током высокого напряжения (72) В.А.Долгих, М.К.Гуревич и В.А.Синявский (53) 621.382.2.072. 1 (088 ° 8) (56) Грехов И,В., Гуревич М.К.

Об определении температуры активного элемента силовых тиристоров. — Электронная техника. Сер. 4 "Электровакуумные и газоразрядные приборы", 1982, вып.3, с.42-44, Авторское свидетельство СССР

600483, кл. G 01 R 31/26, 1976.

„„Я0„„1392521 А 2 (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕН1И ТЕМПЕРАТУРЫ

СТРУКТУРЫ ТИРИСТОРОВ (57) Изобретение относится к способам измерения температуры тиристоров, используемым при производстве и эксплуатации мощных тиристоров. Целью изобретения является повьппение точности и достоверности измерений. Перед измерением температуры со скоростью, обеспечивающей стационарность процессов в структуре исследуемого тиристора, изменяют ток управления от нуля до значения 1,, при котором термочувствительный параметр, например напряжение анод-катод, начинает возрастать после его спада. Температуру структуры тиристора измеряют при токе управления, составляющем

1 — 1,5)1 „,, ? ил.

1392 521

11зобре генц относH T(я к технике функциональных измерений полупроводниковых приборов, а именно к способам измерения температуры тиристоров, используемым при производстве и эксплуатации мощных тиристоров, а также при испытаниях тиристорных преобразователей, и является усовершенствованием изобретения по авт.св. 0- 600483. 1ð

Цель изобретения — повышение точности и достоверности измерений, На фиг.1 представлена типичная зависимость термочувствительного параметра, в качестве которого используется напряжение U „,,от тока управления I (выделена область значе3 ний тока управления, при которых достигается повышение точности и достоверности измерений); на фиг.2 — .схема 2р устройства для осуществления предлагаемого способа.

Между управляющим электродом и катодом испытуемого тиристора 1 подключают стабилизированный источник 2 25 напряжения и с помощью переменного резистора 3 изменяют ток управления.

С помощью измерительного прибора 4 с высокоомным входом, подключенным к аноду и катоду испытуемого тиристора

1, регистрируют изменение И„ „ и фиксируют положение резистора 3, соответствующее минимальному значению

Ид „ (фиг.1). 11ри этом значение тока управления соответствует оптимальному I,„, .11огрешность измерения температуры при 1g =1,„,. не превышает

1,5%. С ростом 1,1 по отношению к 1 „ погрешность измерения слабо растет, но даже при I =1,5 1 „, не превышает

57..

Формула изобретения

Способ измерения температуры струк. туры тиристоров по авт. св ° 600483, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и достоверности измерений, предварительно со скоростью, обеспечивающей стационарность процессов в р-п-р-п-структуре, изменяют ток управления от нуля до значения ?щ, при котором термочувст. вительный параметр начинает возрастать после его спада, и температуру структуры тиристора измеряют при токе управления, составляющем 1-1, 5 опт

1Зц 521

Составитель В.Камянский

Техред Л.Сердюкова Корректор В.сутяга

Редактор А.Огар

Заказ 1888/51 Тираж 772 Подписное

ВНИИИИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, л. 1)роек ная, 4

Способ измерения температуры структуры тиристоров Способ измерения температуры структуры тиристоров Способ измерения температуры структуры тиристоров 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых структур при их изготовлении, а также в процессе изготовления нолупроводниковых приборов на их основе

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения электронных характеристик границ раздела полупроводник-диэлектрик, определения подвижности носителей заряда в инверсионных каналах, для контроля качества изготовления полупроводниковых приборов на основе структур металлдиэлектрик-полупроводник

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля рекомбинационных параметров стандартных полупроводниковых пластин - скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни неосновных носителей заряда

Изобретение относится к радиоизмерениям

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх