Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзистора

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

1. Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзистора, содержащее генератор линейно нарастающего напряжения, усилитель мощности, блок обработки сигнала, выход которого соединен с входом усилителя мощности, регистрирующий прибор, один вход которого подключен к клемме для подключения коллектора испытуемого транзистора, для источника опорного напряжения, один из которых подключен к входу блока обработки сигнала, и клеммы для подключения эмиттера и базы испытуемого транзистора, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности измерения, расширения функциональных возможностей, оно снабжено компаратором, RS-триггером, генератором низкой частоты, сумматором, токосъемным резистором, элементом запуска, причем выход второго источника опорного напряжения подключен к первому входу компаратора, второй вход которого подключен к клемме для подключения коллектора испытуемого транзистора, к первому выводу токосъемного резистора, второму входу блока обработки сигнала, второй вход регистрирующего прибора соединен с вторым выводом токосъемного резистора и с выходом сумматора, первый вход которого соединен с выходом генератора низкой частоты, а второй - с выходом генератора линейно нарастающего напряжения, вход которого соединен с выходом RS-триггера, S-вход которого соединен с выходом компаратора, а R-вход соединен с элементом запуска, вход усилителя мощности соединен с клеммой для подключения эмиттера испытуемого транзистора и третьим входом блока обработки сигнала, а клемма для подключения базы испытуемого транзистора соединена с общей шиной.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что блок обработки сигнала выполнен в виде последовательно соединенных усилителя низкой частоты, выпрямителя, первого фильтра нижних частот, перемножителя, вычитающего элемента, пропорционально-интегрального регулятора, второго фильтра нижних частот, вход которого подключен к второму входу блока обработки сигнала, а выход второго фильтра нижних частот соединен с вторым входом перемножителя, второй вход вычитающего элемента соединен с первым входом блока обработки сигнала.

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках // 1353124

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур // 1336725

Способ контроля долговечности однотипных полупроводниковых кристаллов // 1329502

Изобретение относится к механическим испытаниям, а именно к способам контроля долг-овечности полупр оводниковьгх материалов и элементоп на их основе, и может быть использовано для оценки долговечности полупроводниковых кристаллов в микроэлектронных изделиях

Устройство для измерения времени распространения включенного состояния по площади выпрямительного элемента тиристора // 1324448

Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов // 1308013

Устройство для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах // 1292457

Способ определения теплового сопротивления лавинно- пролетных диодов // 1292456

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении и контроле лавинно-пролетных диодов

Способ контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов // 1290869

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля тепловой устойчивости транзисторов в импульсных режимах

Способ определения концентрации примеси и глубины залегания р-п-перехода встроенного канала мдп-транзисторов // 1283874

Изобретение относится к метрологии полупроводниковых приборов,, в частности к способам определения параметров МДП-транзисторов

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим