Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках

 

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, содержащее смеситель, входы которого соединены соответственно с выходами первого и второго высокочастотных генераторов и входами сумматора, выход которого подключен к входу регулируемого усилителя, первый и второй синхронные детекторы, первые входы которых подключены к выходу первого высокочастотного генератора, первый селективный усилитель, выход которого соединен с вторым входом второго синхронного детектора, выход которого соединен с первым входом блока сравнения, второй вход которого подключен к выходу источника опорного напряжения, выход блока сравнения подключен к управляющему входу первого регулируемого усилителя, клеммы для подключения исследуемой структуры, первая из которых соединена с выходом блока обратного смещения и вторым входом первого синхронного детектора, а вторая - с выходом блока компенсации и первым выводом реактивного элемента, второй вывод которого подключен к общей шине устройства, второй селективный усилитель, третий синхронный детектор, первый вход которого подключен к выходу смесителя, четвертый синхронный детектор, выходы первого и третьего синхронных детекторов подключены к внешнему регистратору, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, оно снабжено фазовращателем, вторым регулируемым усилителем, переключаемым аттенюатором, вторым сумматором, нуль-органом и фильтром, реактивный элемент выполнен в виде параллельного колебательного контура, при этом выход смесителя соединен с первым входом четвертого синхронного детектора и через фазовращатель - с входом второго регулируемого усилителя, выход которого подключен к второму входу третьего синхронного детектора и через переключаемый аттенюатор - к первому входу второго сумматора, второй вход которого через фильтр соединен с выходом первого регулируемого усилителя, первый выход второго сумматора подключен к первой клемме для подключения исследуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с входами первого и второго селективных усилителей, второй выход второго сумматора подключен к входу блока компенсации, выход второго селективного усилителя соединен с вторым входом четвертого синхронного детектора, выход которого через нуль-орган подключен к управляющему входу второго регулируемого усилителя.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к механическим испытаниям, а именно к способам контроля долг-овечности полупр оводниковьгх материалов и элементоп на их основе, и может быть использовано для оценки долговечности полупроводниковых кристаллов в микроэлектронных изделиях

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении и контроле лавинно-пролетных диодов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля тепловой устойчивости транзисторов в импульсных режимах

Изобретение относится к метрологии полупроводниковых приборов,, в частности к способам определения параметров МДП-транзисторов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх