Устройство для измерения характеристик полупроводниковых материалов

 

Устройство для измерения характеристик полупроводниковых материалов, содержащее высокочастотный генератор, первый выход которого подключен к первому входу первого перемножителя, выход которого соединен с первым входом первого синхронного детектора и первым входом выходного блока, первый выход которого подключен к первой клемме для подключения исследуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с входами повторителя и первого переключателя и выходом блока компенсации, выход которого подключен к второму выходу выходного блока, второй вход которого соединен с первым выходом низкочастотного генератора, блок смещения, первый выход которого подключен через развязывающий резистор к первой клемме для подключения исследуемой структуры, блок переключаемых конденсаторов, вход которого соединен с первым выходом переключателя, второй выход которого подключен к входу дешифратора, первый выход которого соединен с входом блока индикации, а второй выход - с первым входом низкочастотного генератора и первым входом первого избирательного усилителя, второй вход которого подключен к первому выходу первого синхронного детектора, второй избирательный усилитель, вход которого соединен с выходом повторителя, а выход - с первыми входами второго и третьего синхронных детекторов, источник опорного напряжения, выход которого подключен к первому входу усилителя постоянного напряжения, второй вход которого соединен с выходом третьего синхронного детектора, выход усилителя постоянного напряжения через RС-фильтр подключен к второму входу первого перемножителя, второй перемножитель, первый вход которого подключен к выходу первого избирательного усилителя, а выход - к первому входу четвертого синхронного детектора, второй вход которого подключен к второму выходу низкочастотного генератора, второй выход высокочастотного генератора соединен с вторыми входами первого и второго синхронных детекторов, логарифмический усилитель, вход и выход которого соединены соответственно с первым и вторым входами регистратора, третий вход которого соединен с вторым выходом первого синхронного детектора, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения и расширения функциональных возможностей устройства, оно снабжено фазовращателем, регулируемым аттенюатором, нуль-органом, пятым и шестым синхронными детекторами, вторым и третьим переключателями, при этом первый выход высокочастотного генератора через фазовращатель подключен к первому входу регулируемого аттенюатора, выход которого соединен с третьим входом первого перемножителя, второй вход высокочастотного генератора подключен к второму входу низкочастотного генератора, первому входу пятого синхронного детектора, второй вход которого соединен с первой клеммой для подключения исследуемой структуры, выход пятого синхронного детектора через нуль-орган соединен с вторым входом регулируемого аттенюатора, выход второго избирательного усилителя подключен к второму входу второго переключателя, выход которого соединен с вторым входом третьего синхронного детектора, выходы второго и четвертого синхронных детекторов подключены соответственно к первому и второму входам третьего переключателя, выход которого соединен с входом логарифмического усилителя, выход второго перемножителя подключен к первому входу шестого синхронного детектора, второй вход которого подключен к третьему выходу низкочастотного генератора, выход шестого синхронного детектора и второй выход блока смещения соединены соответственно с четвертым и пятым входами регистратора, третий вход которого подключен к второму входу второго перемножителя.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам измерения температуры тиристоров, используемым при производстве и эксплуатации мощных тиристоров

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых структур при их изготовлении, а также в процессе изготовления нолупроводниковых приборов на их основе

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения электронных характеристик границ раздела полупроводник-диэлектрик, определения подвижности носителей заряда в инверсионных каналах, для контроля качества изготовления полупроводниковых приборов на основе структур металлдиэлектрик-полупроводник

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля рекомбинационных параметров стандартных полупроводниковых пластин - скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни неосновных носителей заряда

Изобретение относится к радиоизмерениям

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх