Способ монтажа полупроводникового кристалла пайкой

Авторы патента:

H01L21/52 - монтаж полупроводниковой подложки в корпусе

Способ монтажа полупроводникового кристалла пайкой, включающий нанесение на паяемую поверхность слоя металла, смачиваемого припоем, и последующую пайку кристалла на основание, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности полупроводникового прибора за счет увеличения его циклостойкости, предварительно на паяемую поверхность кристалла наносят сетку взаимно пересекающихся или концентрических относительно центра кристалла V-образных канавок глубиной 0,003-0,05 мм.

Устройство для групповой пайки // 577590

Способ пайки выпрямляющих элементов // 149506

Способ сборки полупроводниковых приборов // 2171520

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки на воздухе без применения защитных сред

Способ монтажа полупроводниковых кристаллов больших размеров в корпуса // 2212730

Изобретение относится к области изготовления мощных полупроводниковых приборов и БИС путем безфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формиргазе и др

Способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу // 2278444

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец

Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу // 2313156

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса // 2336594

Изобретение относится к области изготовления БИС и СБИС, имеющих большую площадь кристаллов, путем бесфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формир-газе и др

Способ монтажа кремниевых кристаллов на покрытую золотом поверхность // 2347297

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем

Способ получения контактных соединений диодных лазеров и линеек // 2364985

Изобретение относится к квантовой электронике, полупроводниковой и оптоэлектронной технологии, в частности технологии изготовления когерентных излучателей для систем накачки мощных твердотельных лазеров, создания медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования и других целей

Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу с образованием эвтектики al-zn // 2375786

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу // 2379785

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Способ пайки кристаллов на основе карбида кремния // 2460168

Изобретение относится к технологии приборов силовой электроники на основе карбида кремния