Мощный планарный транзистор
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является увеличение коэффициента усиления по мощности. Мощный биполярный транзистор содержит коллектор, базу, эмиттер, диэлектрическое покрытие, дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположным типу проводимости коллектора. Дополнительные области расположены под контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, отделены от них диэлектрическим покрытием и имеют глубину, не менее глубины пассивной части базовой области. Согласно изобретению уменьшается емкость металлизации транзистора. 1 ил.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным планарным транзисторам, работающим в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является увеличение коэффициента усиления по мощности. На чертеже показан предлагаемый транзистор, поперечный разрез. Транзистор содержит коллектор 1, область 2 базы, область 3 эмиттера, дополнительные области 4, диэлектрическое покрытие 5 и металлизации 6. Введением дополнительных областей в биполярный мощный транзистор вносится дополнительная емкость, суммируясь с емкостью металлизации по правилу сложения емкостей, дает в результате пониженную емкость. Емкость металлизации транзистора снижается в 2,7 раза, что позволяет увеличить выходной импеданс полупроводникового прибора на 30-40%, а следовательно, и коэффициент усиления по мощности.
Формула изобретения
МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, являющуюся коллектором, в которой выполнена область базы с активными и пассивными участками, включающая эмиттерную область, диэлектрическое покрытие, в котором выполнены контактные окна, эмиттерную и базовую металлизации с контактными площадками, расположенные на диэлектрическом покрытии, и дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположном типу проводимости коллектора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, дополнительные области расположены над контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, имеют глубину не менее глубины пассивной части базовой области и находятся от нее на расстоянии не менее удвоенное ширины области пространственного заряда коллекторного перехода при максимально допустимых напряжениях на нем.РИСУНКИ
Рисунок 1MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 13.04.1995
Номер и год публикации бюллетеня: 36-2002
Извещение опубликовано: 27.12.2002
