Устройство для получения монокристаллов, например, германия

 

М )41629 Класс 404, )за сссо

i ыл ° т. t. д Ф

1ЕлЫН .Е ГЛ

E V ИОТТ &. д

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа М 1б1

А. Я. Губенко

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ, НАПРИМЕР, ГЕРМАНИЯ

Заявлено 23 февраля 1961 г. за ЛЪ 699010/22 з Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Хе 19 за 196! г.

Изобретение о.1носится к устройству для получения монокристаллов полупроводниковых материалов. Известные устройства для выращивания кристаллов полупроводниковых материалов по способу Чохральского не позволяют получать кристаллы с равномерным распределением примесей в объеме кристалла. Объясняется это тем, что смотровые щели в тепловых экранах печи создают асимметрию теплового поля в пространстве нагревателя на зеркале расплава, а центральное отверстие в экранах для ввода затравки и подъема растущего кристалла нарушает радиальный градиент на зеркале расплава. Кроме того, по мере роста и вывода кристалла из пространства, окруженного экранами, он попадает в более холодное пространство печи, что создает термические напряжения в кристалле, особенно в кристаллах с диаметром меньше

20 .яи.

Описываемое устройство не имеет указанных недостатков вследствие того, что на штоке для вытягивания монокристаллов вмонтирова » вращающийся экран, выполненный в виде воронки с вырезами.

На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид.

Устройство состоит из тигля 1, обогреваемого нагревательным элсментом 2, по периферии которого установлены экраны 8 и 4. На штоке

5 для вытягивания кристаллов при помощи закрепляющей гайки б помещен вращающийся верхний воронкообразный экран 7 с расположенными в нем на равном расстоянии друг от друга как в конусообразной, так и в цилиндрической частях вырезами 8. В нижней части штока при помощи патрона крепят затравку 9. Тепловые экраны 3 и 4, окружающие нагреватель 2, могут быть выполнены конусообразной формы, подобной конусной части вращающегося верхнего экрана. При наблюдении за ходом технологического процесса сбоку вырезы в экране могут оыть выполнены только в цилиндрической его части, Вырезы шириной

3 — 3,5 мл при скорости вращения экрана 50 — 60 обабкин обеспечива1от хорошее наблюдение в зоне роста кристалла. № 141629

Предмет изобретения

Г

;тстроиство дЛя прлучения монокристаллов, например, германия llo способу Чохральского; выполненное в виде экранированного тигля с нагревательным элементом и штоком для вытягивания монокристаллов

7 отл ич àМт 4еес я тем, что, с целью получения более однородных по своему составу кристаллов, на штоке для вытягивания монокристаллов монтирован экран, выполпенньй в виде воронки с вырезами.

Составитель Т. И, Мейзрова

Ре-дактор Н. Л Леонтьева Техред A. А. Камышникова Корректор И. А. Шпынева

Формат бум. 70)(108!/! Объем 0,18 изд. л.

Тираж 750 Цена 4 коп.

ЦЬТИ при 1(омитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Поди к пеи. 1.Х1-6! r

Зак 1!193

Типографии ЦБТИ 1(омитета Ilo делам изобретений и открытий нри Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.