Печь к аппаратам для выращивания монокристаллов тугоплавких веществ

Авторы патента:

C30B11/10 - твердые или жидкие компоненты, например по методу Вернейля

№ 148017 тем самым выращивать монокристаллы с ббльшим содержанием полезных примесей и с меньшими остаточными термическими напряжениями.

Предмет изобретения

Составитель И С. Сбитникова

Редактор А. К. Лейкина

По п

Техред А. А Кудрявипкая Корректор С. Ю Цверина д . к пе ь 5Л11 62 г. формат бум 70 108 /is Объем 0,18 изд. л

Зак. 7274 Тираж .650 Цена 4 коп

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Центр, М, Черкасский пер., д. 2/6.

Гипография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14

Печь к аппаратам для выращивания монокристаллов тугоплавких веществ из порошка в токе горячего газа, состоящая из муфеля с теплоизоляционной обмазкой, верхней и нижней крышек и наружного цилиндра с приспособлением для крепления к общей станине и для наблюдения за процессом кристаллизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения теплового режима рао JTb1 печи и создания дополнительного теплового барьера, печь выполнена с кольцевой камерой, образованной муфслем и *наружным цилиндром и ограниченной снизу фигурным кольцом и сверху крышкои.

Аппарат для получения корунда и т.п. искусственных камней // 28905

Способ выращивания звездчатых монокристаллов тугоплавких окислов по методу вернейля // 2124077

Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава // 2085625

Изобретение относится к кристаллографии, конкретнее к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использовано, в частности, для получения монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации в вакууме