Аппарат для получения корунда и т.п. искусственных камней

 

л . t1ev 11,(.1 .1

Класс 12п1, 6;-, АВТОРСКОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО ИА ИЗОБРЕТЕТЕ

ОПИСАНИЕ аппарата для получения корунда и т. и. искусственных камней.

К авторскому .свидетельству A. Т. Федорова, К. С. Кнапскогэ и В. В. Ильина, заявленному 1 июля 1924 года (заяв. свид. № 50257).

О выдаче авторского свидетельства опубликовано 31 января 1933 года.

Уже известны аппараты для получения корунда, являющегося безводной окисью алюминия, и искусственных камней, получающих окраску путем прибавки хромового ангидрида (рубин), окиси железа и титанового ангидрида (сапфир) и окиси бериллия и хромового ангидрида (александрит) с применением стакана с сотрясательным молотком.

На чертеже фиг. 1 изображает вид аппарата сбоку; фиг. 2 — вид нижней части аппарата сбоку; фиг. 3 — поперечный разрез аппарата с трубками.

Аппарат состоит из корпуса 1, куда вставляется стакан 3 с донышком 4, крышкой 7, регулирующим кольцом 5 и сеткой 6. Кольцо 5 и сетка б устанавливаются с отверстиями разных размеров в зависимости от приготовленной смеси.

Стакан привинчивается к корпусу крышкой 2 и между стаканом и корпусом прокладывается резиновое кольцо 9. К корпусу аппарата привернут штуцер 8 для резинового шланга, подводящего кислород от баллона или от специальной рампы, когда стоит в работе несколько àïïàратов.

К низу корпуса укреплена гайкой 11, латунная трубка 10, развальцованная с верхней стороны и снабженная на нижнем конце наконечником 78, куда идет кислород и смесь-пудра; наконечник 18 из красной меди имеет входное отверстие разных размеров от 1 до 3-х мм и меняется в зависимости от требуемой величины корунда;

На трубку 10 надета обойма 16 для проводки светильного газа к горелке, состоящая из двух кольцевых упоров, куда в ставлены восемь латунных трубок и ., снаружи их надета еще одна латунная трубка, на которую надета рубашка 17 с наконечником-колпачком 19.

Кожух в зависимости от требуемого объема светильного газа для горения или опускается книзу или поднимается кверху посредством кольца с нарезкой 17а. Наверху обоймы установлен приемник 12 светильного газа с укрепляюшей гайкой 15, имеющей асбестовый сальник и штуцер 13; для подводки светильного газа посредством шланга в приемнике 12 имеется предохранительный шарик 14.

Весь аппарат на специальном каркасе или доске, покрытой асбестом, вешается на стену на кронштейнах 20 и 21.

Для равномерной подачи смеси-пудры к горелке приспособлен шарнирный молоточек 23, который от привода с кулачком 22 периодически опускается на донышко стакана. Под аппаратом на треножнике 2б установлена одна пара шамотовых заслонок 27, на которые кладется асбестовый или шамотовый кружок 28 с отверстием по рубашке 77; такой же кружок 28 кладется и под заслонки, но с отверстием по диаметру шамотовой свечи 25, которая стоит внутри треножника в чугунном подсвечнике 24.

Расстояние между горелкой и свечей регулируется винтом с маховичком, вделанным в стол, на котором стоит треножник.

Предмет изобретения.

1. Аппарат для получения корунда и т. и.

- c применением стакана с сотрясательным молотком, отличающийся тем, что и днище стакана над сеткой установлено съемйое кольцо в целях регулирования пропуска в зону пламени соединений алюминия.

2. Форма выполнения означенного в п. 1 аппарата, отличающаяся тем, что днище 4 в средней своей части соприкасается с внешним воздухом и молоток 23 установлен так, что ударяет по самому днищу.

3. Форма выполнения аппарата, озна ченного в п.п. 1 — 2, отличающаяся тем, что обойма 77 для подвода светильного газа снабжена сверху шарообразным приемником 72, соединенным со штуцером 73, подающим в обойму 77 светильный газ.

4. Форма выполнения означенного в п.3 аппарата, отличающаяся тем, что обойма 77 соединена с приемником 12 муф-. той 77а.

Н авторскому свидетельству А. Т. Федорова, К. С. Кнапского и

В. В.,Ильина Мю 28905 фиг. I фиг 3 фиг. 2 а

Тип. «Искра».

Аппарат для получения корунда и т.п. искусственных камней Аппарат для получения корунда и т.п. искусственных камней Аппарат для получения корунда и т.п. искусственных камней 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к кристаллографии, конкретнее к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использовано, в частности, для получения монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации в вакууме

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов корунда сине-фиолетовой гаммы окраски и может быть использовано в ювелирной промышленности

 // 148380

 // 205820

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира методом кристаллизации из расплава

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира и направлено на совершенствование тепловой защиты системы

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира
Изобретение относится к технологии ювелирного производства, точнее к способам получения цветных ювелирных вставок, а также вставок с применением ювелирных эмалей, и предназначено для использования в ювелирной промышленности тиражом

Изобретение относится к медицинском технике, в частности к производству микрохирургического инструмента для офтальмологии

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов из расплавов методом направленной кристаллизации и может быть использовано для получения монокристаллов сапфира, соответствующих требованиям оптоэлектроники

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов из расплавов методом направленной кристаллизации и может быть использовано для получения монокристаллов сапфира, соответствующих требованиям оптоэлектроники
Наверх