Патент ссср 205820

 

О П И С А Н И Е 205820

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сок з Советских

Сспиалистинеских

Республин

Зависимое от авт, свидетельства М

Заявлено 24.VI. i 966 (М 1085965/22-1 ) Кл. 12g, 17!24 с присоединением заявки No

Приоритет

Опубликовано 02.XII.1967. Бюллетень PR 24

Дата опубликования описания 16.1.1968.iИ1К В Oji

Комитет по делам изобретений и отнрытий при Совете Министров

СССР

УДК 669-172.002 2.002.5 (088.8) Лвторы изобрет

Заявит

УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ РАСХОДА ГАЗА

Известны устройства для регулирования расхода кислорода в аппаратах для выращивания монокристаллов IIO способу Вернейля, включающие регулятор с установленным на газовой линии клапаном и механизм изменения проходного сечения клапана по заданной программе.

Отличием описываемого устройства является то, что на мембране регулятора укреплена емкость, соединенная переточной трубкой с расположенной над ней емкостью с постоянным уровнем жидкости, в полости которой установлены связанные с приводами перемещения относительно уровня жидкости программный элемент, форма и объем которого соответствуют заданной программе, и элемент с постоянной по высоте площадью поперечного сечения. Перемещением программного элемента относительно уровня жидкости осуществляют плавное регулирование расхода газа по заданной программе, а перемещением элемента с постоянной по высоте площадью поперечного сечения — изменение программы в процессе выращивания.

На чертеже изооражено описываемое устройство, общий вид.

Расход газа, подаваемого по трубопроводу

1, определяется проходным сечением двухседельного клапана 2, соединенного системой рычагов 8 с укрепленной на мембране 4 емкостью 5. Над этой емкостью установлена емкость б с постоянным уровнем жидкости, определяемым высотой расположения верхнего торца переточпой трубки 7. Над уровнем жид5 кости в емкости б расположены программный элемент 8, форма и объем которого соответствуют заданной программе, и элемент 9 с одинаковой по высоте площадью поперечного сечения. Оба элемента соединены с приводами

10 перемещения их относительно уровня жидкости в емкости, Устройство работает следующим образом.

Программный элемент 8 вводят с помощью привода в жидкость, находящуюся в емкости

15 б. Вытесненная жидкость переливается через трубку 7 в емкость 5, укрепленную íà .пембране. Количество перелитой жидкости определяет величину опускания емкости и, соответственно, величину изменения площади IlpO20 ходного сечения клапана в процессе выращивания; программу расхода можно изменять, опуская вместе с программным элементом дополнительный элемент 9.

Изменение расхода кислорода осуществля25 ют при разращивании затравки. После установления режима выращивания приводы перемещения элементов 8 и 9 отключают. lloстоянный расход кислорода поддерживается регулятором. Воду из емкости 5 сливают че

30 рез эластичную трубку 10. Емкость регулято205820

С оста в ител ь Т. Фирсова

Редактор Т, H. Каранова Техред T. П. Курилко

Корректоры: Л. В. Наделяева и А. П. Татаринцева

Заказ 46С5/7 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр, Сапунова, 2 ра 11 соединена с выпускным трубопроводом

12 отверстием 18. При повышении давления в трубопроводе 1 давление в емкости 11 также повышается, емкость 5 поднимается и перемешает рычаги, воздействующие на клапан. В результате проходное сечение клапана уменьшается. Трубопровод 1 отделен от емкости 11 мембраной 14.

Предмет изобретения

1. Устройство для регулирования расхода газа в аппарате для выращивания кристаллов по способу Вернейля, включающее мембранный газовый регулятор и механизм изменения проходного сечения клапана регулятора по заданной программе, отличающееся тем, что, с целью повышения плавности регулирования, опо выполнено с укрепленной на мембране регулятора емкостью, над которой расположена емкость с постоянным уровнем жидкости, снабженная подвижно установленным в ее полости программным элементом, форма и объем которого соответствуют заданной программе, причем в полость укрепленной на мембране емкости введена трубка, определя10 ющая уровень жидкости в верхней емкости.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, с целью изменения программы в процессе выращивания, в полости емкости с постоянным уровнем жидкости подвижно установ15 лен элемент с постоянной по высоте плогцадью поперечного сечения.

Патент ссср 205820 Патент ссср 205820 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к кристаллографии, конкретнее к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использовано, в частности, для получения монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации в вакууме

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов корунда сине-фиолетовой гаммы окраски и может быть использовано в ювелирной промышленности
Наверх