Способ усиления электромагнитных излучений

Авторы патента:

Бутаева Ф.А.

Вудынский М.М.

Фабрикант В.А.

H03F19 - Усилители, в которых используются эффекты сверхпроводимости

Хо 148441

Класс. 21а 29о1

21K 35

СССР

ПАТ1:ИТИО )и

БИБЛИОТЕКА

ОПИСАНИК ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪСТВУ

Подписная группа М 89

В. А. Фабрикант, М. М. Вудынский и Ф. А, Бутаева

СПОСОБ УСИЛЕНИЯ ЗЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ

Заявлено 18 июня 1951 r. за Хо 576749/26 в Министерство промышленности средств связи СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» 1Г 13 за 1962 г.

Предмет изобретения

Способ усиления электромагнитных излучений с использованием сред с отрицательным поглощением, отличающийся тем, что, с целью увеличен|ия коэффициента усиления, применено многократное прохождение сигнала через усиливающую среду.

Известен способ усиления электромагнитных излучений, согласно которому излучения пропускают через среду, имеющую отрицательный коэффициент поглощения, причем интенсивность потока излучения, прошедшего сквозь такую среду, возрастает, что вызывает эффект усиления; коэффициент усиления при этом равен величине l L, где КвЂ” коэффициент поглощения, а L вЂ”, толщина слоя (см. авт. св. № 123209

В. А. Фабриканта, М. М. Вудынского и Ф. А. Бутаевой с приоритетом от 18 июня 1951 г.).

Предлагаемый способ отличается тем, что в нем применено многократное прохождение сигнала через усиливающую среду, так как коэффициент усиления экспоненц иально растет с увеличением длины пути, проходимого излучением в среде. Это отличие позволит значительно увеличить коэффициент усиления.

Примером среды с отрицательным поглощением может служить специальный газ или смесь газов. Требуемое неравновесное состояние создается путем воздействия на среду специальных агентов (разряд, облучение и т. д.). При этом частицы среды возбуждаются до соответствующих энергетических состояний с превышением их концентраци и на верхних энергетических состояниях. Для увеличения коэффициента усиления необходимо обеспечить многократное прохождение сигнала через газовую среду.

Предлагаемый способ усиления электромагнитных излучений может найти широкое применение в телевидении, сигнализации и т. д.

Изобретение относится к криогенной радиотехнике

Усилитель бегущей волны // 2022413

Радиоприемное устройство сеч // 205080

// 346781

Параметрический усилитель // 651735

Параметрический усилитель // 657712

Параметрический усилитель // 743537

Усилитель // 1775845

Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами // 2544275

Изобретение направлено на повышение линейности усиления в гигагерцовом диапазоне частот без использования цепей обратной связи. СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа включает идентичные и параллельно соединенные первый и второй джозефсоновские контакты, образованные в слое высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) и размещенные вдоль бикристаллической границы подложки, и входной индуктивный элемент, включенный между смежными токоподводами джозефсоновских контактов. Дополнительно введены третий и четвертый джозефсоновские контакты, причем критический ток первого, второго джозефсоновских контактов совпадает, третьего - меньше этой величины, а четвертого контакта - превышает эту величину. Слой ВТСП имеет форму дорожки, которая дважды пересекает бикристаллическую границу и образует замкнутый контур с упомянутым индуктивным элементом, расположенным по одну сторону бикристаллической границы. Третий и четвертый джозефсоновские контакты размещены в местах пересечений упомянутой дорожки с бикристаллической границей, а ширина дорожки в месте размещения четвертого контакта превышает одноименную для третьего контакта. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.

Сверхпроводящая квантовая решетка на основе скиф-структур // 2620760

Изобретение относится к криогенной радиоэлектронике, в том числе к активным широкополосным устройствам, и может быть использовано для приема и усиления электромагнитных сигналов в диапазоне частот от единиц герц до 10 ГГц. Сверхпроводящая квантовая решетка на основе СКИФ-структур содержит две соединенные дифференциально последовательные цепочки СКИФ-структур, состоящих из параллельно соединенных джозефсоновских контактов, средство задания магнитного поля смещения, подключенное индуктивным образом к каждой СКИФ-структуре, сверхпроводящий трансформатор и средства задания постоянного тока питания и измерения напряжения. Технический результат изобретения состоит в повышении уровня выходного сигнала и линейности преобразования магнитного сигнала в отклик напряжения за счет использования многоэлементных джозефсоновских структур, состоящих из двух дифференциально соединенных последовательных цепочек СКИФ-структур, конструкция, рабочие режимы и характеристики которых подобраны определенным образом, описанным в изобретении. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.