Усилитель

 

Использование: в приемопередающей аппаратуре СВЧ для усиления входного сигнала . Сущность изобретения: устройство содержит многослойную пластину, установленную без зазора ортогонально широким стенкам прямоугольного волновода . Многослойная пластина состоит из ферритового слоя, ортогонально намагниченного внешним магнитным полем, диэлектрической подложки и слоя сверхпроводника. В каждой широкой стенке отрезка прямоугольного волновода по обе стороны от многослойной пластины выполнена продольная щель. К кромкам одной из продольных щелей подключены соответствующие выводы источника постоянного напряжения, а в отрезке прямоугольного волновода по обе стороны от многослойной пластины расположены замедляющие структуры. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 03 F 19/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР. ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4950996/09 (22) 28.06.91 (46) 15.11.92. Бюл. М 42 (71) Московский институт электронного машиностроения (72) В.И.Гвоздев, А.Г.Глущенко, Г,А.Кузаев и

П.Н.Скулаков (56) Попков А.Ф, "Усиление МСВ потокомагнитных вихрей в структуре феррит-сверхпроводник". Письма в ЖТФ, 1989, т. 15, М

5, с,9-13; (54) УСИЛИТЕЛ Ь (57) Использование: в приемопередающей аппаратуре СВЧ для усиления входного сигнала, Сущность изобретения: устройство содержит многослойную пластину, Изобретение относится к СВЧ технике, в частности, к приемно-передающей аппаратуре для усиления входного сигнала.

Известен усилитель с распределенными параметрами, содержащий ортогонально намагниченную многослойную пластину, состоящую из ферритового слоя, на одной стороне которого расположена диэлектрическая подложка, а на другой — слой сверхпроводника, линия передачи и источник постоянного напряжения. Однако известный усилитель не обеспечивает достаточно высокое КПД и имеет узкую полосу рабочих частот при низком уровне выходной мощности.

Цель изобретения — увеличение КПД при расширении полосы рабочих частот, а

„„5U„) 1775845 А1 установленную без зазора ортогонально широким стенкам прямоугольного волковода. Многослойная пластина состоит из ферритового слоя, ортогонально намагниченного внешним магнитным полем, диэлектрической подложки и слоя сверхпроводника. В каждой широкой стенке отрезка прямоугольного волновода по обе стороны от многослойной пластины выполнена продольная щель. К кромкам одной из продольных щелей подключены соответствующие выводы источника постоянного напряжения, а в отрезке прямоугольного волновода по обе стороны от многослойной пластины расположены замедляющие структуры. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. также повышение уровня выходной мощности СВЧ сигнала.

Поставленная цель достигается тем, что в усилителе, содержащем ортогонально намагниченную многослойную пластину, состоящую из ферритового слоя, на одной стороне которого расположена диэлектрическая подложка, а на другой — слой сверхпроводника, линия передачи и источник постоянного напряжения, линия передачи выполнена в виде отрезка прямоугольного волновода, вдоль оси которого установлена без зазора ортогонально широким стенкам многослойная пластина, в каждой широкой стенке по обе стороны от многослойной пластины выполнена продольная щель, к кромкам одной из продольных щелей подключены соответствующие выводы ис1775845 точника постоянного напряжения, а вотрезке прямоугольного волновода по обе стороны от многослойной пластины расположены введенные замедляющие структуры, введены дополнительный ферритовый слой, расположенный на другой стороне диэлектрической подложки, и дополнительный слой сверхпроводника, нанесенный на противолежащей поверхности дополнительного ферритового слоя.

На чертеже приведен в аксонометрии общий вид усилителя. Усилитель содержит ортогонально намагниченную многослойную пластину 1 со следующей структурой; слой сверхпроводника 2 — ферритовый слой

3 — диэлектрическая подложка 4 — ферритовый слой 5 — слой сверхпроводника 6. Линия передачи 7 выполнена в виде прямоугольного волновода, вдоль оси которого установлена без зазора ортогонально широким стенкам 8 и 9 многослойная пластина 1, по обе стороны от которой в широких стенках выполнена продольная щель 10 и 11, к кромкам одной из продольных щелей, например, 10 подключены выводы источника постоянного напряжения Uo. В отрезке прямоугольного волновода 7 по обе стороны от многослойной пластины 1 расположены замедляющие структуры 12 и 13.

Усилитель работает следующим образом.

При включении постоянного напряжения Uo и магнитного поля Но, направленного перпендикулярно многослойной пластине 1, в слое сверхпроводника 2 и 6 возникает вихревое движение электронов, скорость дрейфа которых направлена вдоль продольной оси линии передачи 7. Скорость распространения электромагнитных волн уменьшается до скорости дрейфа электронов, что создает режим усиления, благодаря замедляющим структурам и возникновению

40 медленных магнитостатических волн в слоях феррита 3 и 5. Из-за увеличения эффективного сечения взаимодействия СВЧ поля с потоком электронов повышается КПД усилителя (рост коэффициента усиления и уровня мощности выходного сигнала). а выравниванием скоростей распространения медленной электромагнитной и магнитостатической волн в плоскости поперечного сечения линии передачи достигается расширение полосы рабочих частот усилителя.

Формула изобретения

1, Усилитель, содержащий ортогонально намагниченную многослойную пластину, состоящую из ферритового слоя, на одной стороне которого расположена диэлектрическая подложка, а на другой — слой сверхпроводника, линию передачи и источник постоянного напряжения, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения КПД при расширении полосы рабочих частот, линия передачи выполнена в виде отрезка прямоугольного вол но вода, вдоль оси которого установлена без зазора ортогонально широким.стенкам многослойная пластина, в каждой широкой стенке по обе стороны от многослойной пластины выполнена продольная щель, к кромкам одной из продольных щелей подключены соответствующие выводы источника постоянного напряжения, а в отрезке прямоугольного волновода по обе стороны от многослойной пластины расположены введенные замедляющйе структуры, 2. Усилитель по и. 1, отличающийся тем, что введены расположенный на другой стороне диэлектрической подложки дополнительный ферритовый слой и дополнительный слой сверхпроводника, нанесенный на противолежащей поверхности дополнительного ферритового слоя.

1775845

Составитель В.Гвоздев

Техред М.Моргентал Корректор С.Пекарь

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 4040 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Усилитель Усилитель Усилитель 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к криогенной радиотехнике

Изобретение направлено на повышение линейности усиления в гигагерцовом диапазоне частот без использования цепей обратной связи. СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа включает идентичные и параллельно соединенные первый и второй джозефсоновские контакты, образованные в слое высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) и размещенные вдоль бикристаллической границы подложки, и входной индуктивный элемент, включенный между смежными токоподводами джозефсоновских контактов. Дополнительно введены третий и четвертый джозефсоновские контакты, причем критический ток первого, второго джозефсоновских контактов совпадает, третьего - меньше этой величины, а четвертого контакта - превышает эту величину. Слой ВТСП имеет форму дорожки, которая дважды пересекает бикристаллическую границу и образует замкнутый контур с упомянутым индуктивным элементом, расположенным по одну сторону бикристаллической границы. Третий и четвертый джозефсоновские контакты размещены в местах пересечений упомянутой дорожки с бикристаллической границей, а ширина дорожки в месте размещения четвертого контакта превышает одноименную для третьего контакта. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к криогенной радиоэлектронике, в том числе к активным широкополосным устройствам, и может быть использовано для приема и усиления электромагнитных сигналов в диапазоне частот от единиц герц до 10 ГГц. Сверхпроводящая квантовая решетка на основе СКИФ-структур содержит две соединенные дифференциально последовательные цепочки СКИФ-структур, состоящих из параллельно соединенных джозефсоновских контактов, средство задания магнитного поля смещения, подключенное индуктивным образом к каждой СКИФ-структуре, сверхпроводящий трансформатор и средства задания постоянного тока питания и измерения напряжения. Технический результат изобретения состоит в повышении уровня выходного сигнала и линейности преобразования магнитного сигнала в отклик напряжения за счет использования многоэлементных джозефсоновских структур, состоящих из двух дифференциально соединенных последовательных цепочек СКИФ-структур, конструкция, рабочие режимы и характеристики которых подобраны определенным образом, описанным в изобретении. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.
Наверх