Фотополимеризующаяся композиция для изготовления эластичных фотополимерных печатных форм

 

Изобретение касается химико-фотографических материалов, в частности фотополимеризующейся композиции (ФПК) для.изготовления эластичных печатных форм. В состав ФПК входят, мас.%: изопренстирольньпч блок-сополимер, содержащий 20% полистирольных блоков (мол. м. 12 000) 17,843-19,21; диметакриловый эфир метакриловой кислоты 1,85-5,55; 2,2-диметокси-2-фенилацетофенон 0,072-0,Х)82; ионол 0,007- 0,008; трихлорэтилен остальное, Эта ФПК позволяет увеличить до 95% глубину фотохимического сшивания фотополимерных печатных форм и снизить степень их набухания в органических растворителях (10,6-11,7% против 19,7%). 1 табл. с (Л

,СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (111 (51)5 С 03 С 1/72

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

И ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 23,04.92. Бюл. № 15 (2t) 4136849/04 (22) 16.09.86 (71) Украинский полиграфический институт им. Ивана Федорова .(72) В.В.Шибанов, Г.Ф.Мельник, М.А.Коршунов, А.Н.Кондратьев, А,П.Романюк, P.È.Èåðâèíñêèé, В.П.Куница и И.Ф.Костяк (53) 771,9(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

1194176, кл, С 03 С 1/68. 1984.

Авторское свидетельство СССР и 1364052, кл. G 03 С t/68, Ot 04.86. .(54) ФОТОПОЛИМЕРИЗУНИ1АЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ .ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛАСТИЧНЫХ ФОТОПОЛИМЕРНЫХ ПЕЧАТНЫХ ФОРМ (57) Изобретение касается химико-фо I тографических материалов, в частности фотоиолимеризующейся композиции (ФПК) для.изготовления эластичных печатных форм. В состав ФПК входят, мас.7: иэопренстирольнып. блок-сополимер, содержащий 207 полистирольных блоков (мол. м..12 000) 17,843-19,21; диметакриловый эфир метакриловой кислоты

1,85-5,55; 2,2-диметокси-2-фенилацетофенон 0,072-О,.082; ионол 0,0070 008 трихлорзтилен остальное .

Эта ФПК позволяет увеличить до 95_#_ глубину фотохимического сшивания фотополимерных печатных форм и снизить степень их набухания в органических а растворителях (10,6-11,77 п1(отив

19,7X). 1 табл.

1412491

Изобретение касается создания фотополимеризующейся композиции и может быть использовано для изготовления эластичных фотополимерньж печатных

Форм для флексографской печати в полиграфии.

Целью изобретения является увеличение глубины фотохимического сшивания фотополимерных печатных Форм (ФПФ) и уменьшение степени нх набухания в органических растворителях . .Изобретение иллюстрируется следующими примерами. Составы композиций и результаты их испытаний приведены в таблице.

Пример 1. 50 г (18,50 мас.X) иэопренстироЛьного блок-сополимера

I (ТУ 38-103392-83), содержащего 20 мас % стиральных блоков, растворяют н 200 г 20 (74,02 мас.X) трихлорэтилена (ТХЭ)

2-3 ч при комнатной температуре заУ тем при нагревании до 40-50 С. В го.могенизонанный раствор добавляют 5 г (1,85 мас.X.> диметакрилового эфира 5 этнленгликоля (ДИЭГ) и 15 г (5,55 мас.X) винилоксиэтилоного эфира метакриловой кислоты, 0,2 г (0,0730 мас.%) 2,2-диметокси-2-фенипацетофенона, 0,02 r (0,007 мас.X) ионола. Полученную смесь перемешивают 30 мин, Фильтруют через капроновую ткань и;цеаэрируют при 5О С 5-6 ч.

Светочувствительную пленку полу" чают многократным поливом на поверхность вращающего барабана. Скорость вращения цилиндра и высота поднятия

Фильеры определяются вязкостью композиции. Толщина высушенной пленки, (1500-3000)+25 мкм.

„40

Для изготовления ФПФ на обезжиренную лавсановую подложку наносят слой раствора уретанового каучука СКУ-8 в этилацетате, содержащего 10 мас.X полииэоцианата. После сушки клея све.точувствительный слой и лансановую подложку дублируют Между валками при

60 С и давлении 2 кгс/см . ФПФ экспонировали пампами ПУФ"80 на расстоянии 60 мм через тест-негатив. Время .ароявления в смеси трихлорэтилена н этилацетата (1:7) н форсуночной машине при давлении 3-4 кгс/см и температуре 30-35 С 2-3 мин.

Глубина фотохимических превращений в ФПФ оценивалась методом гельфракции по формуле

Р, /Po 1ooX, где Р— первоначальная масса обо раэца;

P — масса образца после экстрак-!

1 ции хлороформом.

Стойкость ФПФ к действию полярньж растворителей, используемых для приготовления Флексографских красок, определяют по степени набухания согласно методике (ГОСТ 9.030-74).

Данные таблицы указывают на то, что с введением в состав ФПК винилоксиэтилового эфира метакрилоной кислоты глубина фотохимического сшивания по сравнению с прототипом увеличивается, а степень набухания в смеси растворителей: I - этиловый спиртэтилацетат (1: 1), II — этиловый спиртбутилацетат (1:1) соответстненно уменьшается. Использование н составе предложенной композиции нинилоксизтилового эфира метакрилоной кислоты и

ДИЭГ в количествах, больших 5,55 мас.X или меньших 1,85 мас.%, приводит к уменьшению степени набухания ФПФ в органических растворителях, незначительному увеличению глубины Фотохими- ческого сшивания ФПФ и уменьшению значения Рс (примеры 6-9 сравнитель" ные).

Формула и з о б р е т е и и я

Фотополимеризующаяся композиция для изготовления эластичных фотополи" мерных печатных форм, включающая изопренстирольньп " блок-coIIQJIHMeр, содержащий 20% йолистирольных блокон с мол. м. 12 000, диметакриловый эфир этиленгликоля, фотоинициатор-2,2-диметокси-2-фенилацетофенон, термостабилизатор — ионол, органический растворитель — трихлорэтилен, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью унеличения глубины фотохимического сшивания Фотополимерных печатных форм и уменьшения степени их набухания в органических растворителях, она дополнительно содержит винилоксиэтиловый эфир метакриловой кислоты Формулы

СН СН-О-СН -СН -О-р-гСН и

О СН при следующем соотношении компонентов мас X:

1412491

1,85-5,55

О, 012-0, 082

0,007-0,008

Остальное

l 1, 843 — 19, 21

1,85-5,55

Состзв фПХ . Г/нес X

IlpH меp

namwep в

Р эг

О Ог

«ь»

О,ОО7 гоо

74,О2

Н,80

5,SS

О2

О,О73.5

1,Н

11,5

11О !!О 1О, S

18,50

О2 о,о73

З,70

О О2

«Ф

0,ОО7! о

З,7О

200

74,07 !00 120 10 О!

О,В рог

О,OO7

50 5

18 SR

200

74,020 ог

»;о

89 50, 5 95 100

5,550 0,0773

19,210

200

76,86О

О 02

О,ООВ

5 О 2

» ь

1, 920!

1,5

86 53,0 95 100 11,0

10! е920 Ое082

200

71,372

0 02

0,007

15 02 ь

5,353 0,072

5,353

17,Б 3

10,6

96 55,0 100 110, 10,0

Ое 763

l0 02 ь

200

76 ° 272

О О2

66

19,068

70 55,0 ВО 100 14,1 ° 20,2

0>008

3 ° 813 0,076

О 02 ь==

О,ОО7

7,!37

200

71,373

ГО Ог

«=JL

3,569 0,071

85 100 17 5

80 68

18,995

3 О 2

200

75,982

О 02

«е—

О,ООВ!

3,799

12,5

80 58,0 95 100

1,140 0,076

1О 02

» ь

3, 799 О. 076

50 !

8,995 — о

75, 982 о ог ь

О,OO8

1 ° 140

75 56, О 85 100 14,5

Известяея вой» повйцйя

10 68 55,0 110 Io 15 8 19е7

* Рс - рявреяеопея способность, В<. — вылеяяяицвя способность.

Составитель E. Платонычева

Редактор Т.Иванова Техред А.Кравчук Корректор Л.Патай

"краж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Заказ 2311

Производственно-полиграфическое предприятие, . Ужгород, ул. Проектная, 4

Иэопренстирольный блок-сополимер, содержаший 207. полистирольных блоков с уо77. м. 12 000

Диметакриловый эфир этиленгликоля

Винилоксиэтиловый эфир метакриловой кислоты формулы I

2,2-Диметокси-2фенилацетофенон

Ионол

Трихлорэтилен

Фотополимеризующаяся композиция для изготовления эластичных фотополимерных печатных форм Фотополимеризующаяся композиция для изготовления эластичных фотополимерных печатных форм Фотополимеризующаяся композиция для изготовления эластичных фотополимерных печатных форм 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к фотографии , в частности к фотополимеризующейся композиции (ФК) для изготовления эластичных фотополимерных печатных форм

Изобретение относится к позитивным фоторезистам на основе о-нафтохинондиазидов, применяемых в процессах производства радиоэлектронных и микроэлектронных изделий и сверхбольших схем методами контактной и проекционной фотопечати

Изобретение относится к способам изготовления защитных рельефов и может быть использовано при производстве печатных плат с использованием сухих пленочных фоторезистов в радио- и электротехнической промышленности

Изобретение относится к сухим пленочным фоторезистам, которые используются для получения защитных рельефных изображений при производстве печатных плат в радио- и электротехнической промышленности

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям, использующимся для изготовления сухих пленочных фоторезистов в технологии получения печатных плат в радио- и электротехнической промышленности

Изобретение относится к фторполимеризующимся композициям для сухих пленочных фоторезистов водно-щелочного проявления, находящих применение для получения рисунка при изготовлении печатных плат в радиоэлектронной промышленности
Изобретение относится к фоточувствительным материалам на основе оксидов цинка и/или титана в связующем
Изобретение относится к термопроявляемым фотографическим материалам на основе водопроницаемых полимеров с добавками солей металлов и может быть использовано в системах записи оптической информации

Изобретение относится к радиационно-чувствительной фоторезистной композиции

Изобретение относится к способам получения фоточувствительных слоев сульфида свинца, которые применяют при изготовлении полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению
Изобретение относится к фоторефрактивному полимерному материалу с высокой дифракционной эффективностью в ближней инфракрасной области электромагнитного спектра и может быть использовано в оптоэлектронных устройствах, в процессах записи динамических голограмм в реальном масштабе времени и других фотонных технологиях

Изобретение относится к составу для светочувствительного слоя фотоматериалов, которые могут быть использованы в системах записи информации, для получения изображения в фотографии и полиграфии

Изобретение относится к области изготовления пленочного фоторезиста и сеткотрафаретных экранов на его основе, используемых в производстве печатных плат, керамических корпусов интегральных схем, изделий полиграфической промышленности
Изобретение относится к нанотехнологии и направлено на создание нанокомпозиционных материалов с эффективно управляемыми оптическими свойствами, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, информационной технике, при разработке средств оптической памяти и т.д
Наверх