Накопитель информации на магнитных вихрях

 

Лзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминакицих , устройств на магнитных, вихрях (MB). Целью изобретения является, повышение плотности записи информации и упрощение накопителя. Накопитель информации на MB содержит диз лектрическую подложку 1, на которой расположена сверх проводящая пленка 2, примыкающая к выступам 3 подложки. На другой стороне подложки сформированы каналы продвижения магнитных вихрей в виде ка-а навок 4 и 5. Пленка 2 на концах канавок имеет в 1,5-2 раза большую толщину , плавно уменьшающуюся до номинального значения на длине, равной 0,05-0,10 полной длины канавки по направлению к ее середине. MB 6 занимает позицию, соответствующую наименьшей толщине пленки, например, мезвду выступами 3 и канавками 5, что может быть условно принято за логическую единицу. Соответственно, положение МБ между выступами 3 и канавками 4 условно принято за логический ноль. В зоне утолщения пленки расположены удлиненные MB 7. Устройство ввода MB в канал, например генераторы с токовой,петлей, и устройства считывания, размещенные за выходом канала, известны. 4 ил. §

09) III) СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А.1 (51) 5 С 11 С 11/14

6 tËÉIÈ!I

Ь . .: ЛИп И

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ((46) 07.09.90.Вюл. -У 33 (21) 4043988/24-24, 4044966/24 (22) 28.03.86 (7 1) Донецкий физико-технический институт АН УССР . (72) А.М.Гришин и В.В.Пермяков (53) 681.327.66(088.8) (56) Эшенфельдер А. Цилиндрические магнитные домены. М.: Мир, 1983, с. 186.

"Электронная промышленность", 1983, вып. 8, с. 20-25. (54) НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ НА МАГНИТHbIX ВИХРЯХ . (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных, вихрях (МВ).

Целью изобретения является повышение плотности записи информации и упрощение накопителя. Накопитель информации . на МВ содержит диэлектрическую подложку 1, на которой расположена сверх проводящая пленка 2,. примыкающая к выступам 3 подложки. На другой стороне подложки сформированы каналы продвижения магнитных вихрей в виде ка-а навок 4 н 5. Пленка 2 на концах канавок имеет в 1 5-2 раза большую толщину, плавно уменьшающуюся до номинального значения на длине, равной

0,05-0,10 полной длины канавки по направлению к ее середине. MB 6 зани- мает позицию, соответствующую наименьшей толщине пленки, например, между выступами 3 и канавками 5, что может быть условно принято эа логическую единицу. Соответственно, положение МВ между выступами 3 и канав" ками 4 условно принято sa логический ноль. В зоне утолщения пленки расположены удлиненные МВ 7. Устройство ввода МВ в канал, например генерато ры с токовой петлей, и устройства считывания, размещенные эа выходом канала, известны. 4 ил.

14141

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть И спольэованс при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (МВ).

Целью изобретения является повы5 шение плотности записи информации и упрощения накопителя.

Сущность изобретения поясняется

Прн помощи фиг. 1-4, на которых изоб- 10 всажена конструкция накопителя. (Накопитель информации на МВ содер.жит диэлектрическую подложку 1, на которой расположена сверхпроводящая пленка 2, примьп<ающая к выступам 3 подложки. На другой стороне пленки сформированы каналы продвижения маг нитных вихрей в виде канавок 4 и 5.

На концах канавок толщина пленки возрастает в 1,5-2 и плавно уменьшающейся до номинального значения на длине, равной 0,05-0,10 полной длины канавки по направлению к ее середине. NB 6 занимает позицию, соответствующую наименьшей толщине пленки, 25 например, между выступами 3 и канавками 5, что может быть условно принято за логическую единицу. Соответственно, положение МВ между выступами 3 и канавками 4 условно принято 30 за логический ноль. Удлиненные МВ 7 находятся в зоне утолщения пленки.

У тройством ввода МВ в канал, может быть генератор 8 с токовой петлей.

У ":ройства считывания 9 размещают за выходом канала.

ПредлсженнъЖ накопитель работает сл. дующим образом.

В начальном положении в размещенной на подложке сверхпроводящей пленке 2 в канале продвижения, образованном канавками 4, 5 и выступами

3, находятся МВ 6. В утолщениях плен,ки на концах каналов находятся удлиненные магнитные вихри 7. Энергия ИВ пропорциональна их длине. Стремление

МВ 7 уменьшить свою энергию эа счет сокращения своей длины приводит к появлению силы., сближающей МВ в канале до тех пор, пока упругое взаимное отталкивание вихрей в направлении ка- 5О нала продвижения не сравняется с этой силой. Bce NB в канале оказываются упруго поджатымн друг к другу, запол няют канал полностью при одинаковых расстояниях между центрами МВ порядка 10 см.- Вводят s начало канала

5 очередной МВ 8. Упруго поджимают его к предыдущим NB, например, эа счет

80 2 большей толщины пленки 2 на входе ка- нала, чем на его выходе. Прн этом давление в канале повышается и последний МВ вытесняется из канала, например, в устройство считывания, а все

МВ в канале продвигаются на один шаг, Информация на МВ в такой системе продвижения должна быть записана на каждом вихре, например, на внутренних уровнях его энергии, на особенностях геометрии МВ и т.п. В качестве примера выбран вариант записи информации за счет смещения одного из полюсов МВ поперек канала продвижения, Для этого вводят МВ в положении 3-4, считая

его эа "0", или.в положении 3-5, соответственно считая его за "1". При дальнейшем продвижении порядок следования МВ в канале сохраняется за счет выступа, в котором полюсы всех вихрей размещены последовательно и не могут меняться местами, а информация сохраняется за счет сохранения поло.жения второго полюса каждого вихря в той канавке, в которой он был размещен. при вводе. При выводе МВ, положение его полюса может быть считано любым известным детекто ъ. ром, например магнитооптическим.

Диаметр MB порядка О,1 мкм, толщина пленки порядка 1 мкм, глубина канавок 20-30Х толщины. пленки, ширина канавок 0, 1-0,2 мкм, расстояние между канавками 0,2-0,3 мкм, расстояние между соседними каналами 0,4-0,5 мкм

l расчетная плотность информации

2 10 бит/см. Длина,участков пленки с толщиной, повышенной до 1 5-2 мкм на концах каналов, составляет 0,050,1 их длины, что создает энергию упругого поджатия NB порядка 7 — 203 полной энергии МВ. формула изобретения

Накопитель информации на магнитных вихрях, содержащий диэлектрическую . подложку, на которой расположена сверхпроводящая пленка, на внешней стороне которой сформированы каналы продвижения магнитных вихрей в виде параллельно расположенных канавок, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности записи информации и упрощения накопителя, сверхпроводящая пленка на концах канавок имеет в 1,5-2 раза большую толщину, плавно уменьшающуюся до минимальэ 1414150

4 нЬго значения на длине, равном 0,05- выполнены выступы, расположенные паО, 10 полной длины канавки по направ- раллельно канавкам ° причем какда ленив к ее середине, а на внутренней выступ расположен между соответстстороне диэлектрической подлоаки вующей нарой смеанык канавок.

Составитель Ю.Розенталь

Техред П.Сердюкова Корректор M,Пожо

Редактор Т.Орловская

Заказ 3319

Тираж 487 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1!3035, Москва, Ж-35, Рауаская наб., д. 4/5 юаа

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4