Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния и способ его приготовления

 

1. Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния, содержащий этиловый спирт, катализатор, тетраэтоксисилан и соединения 1-й легирующей примеси - азотнокислый алюминий, гидрат и 2-й легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости легирования за счет повышения стабильности раствора и улучшения смачиваемости поверхности пластин, а также облегчения процесса удаления пленки с поверхности после окончания легирования, он содержит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%: Этиловый спирт 96o - 38,6 - 52,0 Катализатор - 0,5 - 2,5 Тетраэтоксисилан - 4,2 - 6,4 Соединение 1-ой легирующей примеси - азотнокислый алюминий, гидрат - 13,4 - 18,1 Соединение 2-ой легирующей примеси - 21,0 - 41,6 2. Способ приготовления пленкообразующего раствора для легирования пластин кремния, включающий растворение катализатора и тетраэтоксисилана в части этилового спирта при его объемном отношении к тетраэтоксисилану от 1 : 3 до 2 : 1, гидролиз тетраэтоксисилана и растворение в гидролизованном тетраэтоксисилане соединений первой и второй легирующих примесей и оставшейся части этилового спирта, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости легирования за счет повышения стабильности раствора и улучшения смачиваемости поверхности пластин, а также облегчения процесса удаления пленки с поверхности после окончания легирования, сначала растворяют соединение первой легирующей примеси, предварительно растворенное в оставшейся части спирта, затем второй легирующей примеси.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем, так и при разработке и изготовлении дискретных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании СВЧ-транзисторов и интегральных схем на их основе

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур
Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ)

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к установкам для легирования полупроводников при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Изобретение относится к технологии создания высоколегированных P+ - слоев в кремниевых пластинах диаметром 100 мм мм при температурах диффузии 725 - 975°С

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению твердых источников диффузии бора
Наверх