Способ диффузионной сварки выводов бескорпусных полупроводниковых элементов с медными проводниками
Изобретение относится к диффузионной сварке и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых элементов в электронной промьппленности. Цель изобретения - повы шение качества соединения. На диэлектрическую подложку наносят слой меди. Вьюод.предварительно размещают между планками кз индия, устанавливают его в контакте с подложкой и в соответствующей ему полости, вьтолненной в торце пуансона. Пуансон нагревают до 90-100°С и осуществляют сдавливание им вьтода. Пленки индия исключают образование окислов в зоне соединения, а локальный нагрев предотвращает разрушение вывода . 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (5У 1 В 23 К 20/14
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPbITHSlM
ПРИ ГКНТ СССР f" списочник изоБРЕтеНия - - . --
И A BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4270001/25-27
{?2) 13.04.87 (46) 30.12.88. Бюл. У 48 (72) О.Н.Чесноков и С.А.Лазарев (53) 621.791.66 (088.8) (56) Казаков Н.Ф. Диффузионная сварка материалов..М.: 11ашиностроение, 1976, с.185-204.
Авторское свидетельство СССР и 647 1 14ркл.В 23 К 20/ООр 1979+ (54) СПОСОБ ДИФФУЗИОННОЙ СВАРКИ ВЫВОДОВ БЕСКОРПУСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ С ИЕДНЬИИ ПРОВОДНИКАМИ (57) Изобретение относится к диффузионной сварке и может быть исполь„,SU, 1447615 А 1 зонано при изготовлении полупроводниконьм элементов в электронной промышленности. Цель изобретения — повышение качества соединения. На диэлектрическую подложку наносят слой меди. Вывод, предварительно размещают между планками из индия, устанавливают его в контакте с подложкой и в соответствующей ему полости, выпол= ненной в торце пуансона. Пуансон нагревают до 90-100 С и осуществляют сдавливание им вывода. Пленки индия исключают образование окислов н зоне соединения, а локальный нагрев предотвращает разрушение вывода. 1 ил.
1447615 ь
«7
/(ф «.
, ьГ ь.
«ь г ь.
В}1111(}111 Заказ 6789/! 6 ",ира.v 922
Подписное
i.роизв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, Изобретение относится к диффузионной сварке и может быть использовано при изготовлении полупроводнико вых элементов в электронной промышленности.
Целью изобретения является повьппение качества соединения.
Иа чертеже показана схема осуществления способа.
На диэлектрическую подложку 1 наносят слой 2 меди, на который нанОсят слой З индия ЗЯтем устанЯБли вают вывод 4, а на нем размещают слой 5 индия. В торце пуансона 6 выполняют полость 7 размером, соответСтВуЮщИМ днаМЕтру ВЫтг«да 4. ПуЯНСОН
6 нагревают до 90-!002С, вывод 4 размещают ь его полости, осущес:--— ляют:. .Ão сдявлпвание и изотермиче"Iyro выдержку.
Благодяря расположению Вывода ме7i ду пленками из индия в.полости в торце
1 пуансона„соответствующей диаметру вывода и нагреву пуансона до 90100 С,.происходит локальный нагрев зоны KGHT2KTH исключается образование окислов в зоне сварки, не происходит разрыва выводов., чем обеспе4ивается поня.ение <ячества соединения.
П р и и е р, Сваривали золотой вывод бескорпусного полупроводникового диода,циаметром 30 мкм с медным проводником в виде слоя меди толщиной !О мкм и ыириной мм, нанесенного на диэлектрическую подложку. Иа слое меди размещали слой индия толщиной 40 мкм, НЯ нем размещали вывод и накрывали его друг и слоем индия толщиной 40 мкм, В торце пуансона диаметром 1 мм
)0 выполняли полость размером 30 мкм, соответствующим диаметру вывода, Вывод размещали в э ой полости и после нагрева пуансона до 100 С осуществляли его сдявливание.
:5 Испытания сваренного элемента показали повыпение качества соединения, ь о р и у л а и э о б р е т е н и я
Способ диффузионной сварки выводов бе.-.корпусных полупроводниковых элементов с медными проводниками, при котором слой меди наносят па диэлектрическую подложку, вывод устанавливают в контакте с нцм, ггдавливают его пуансGIIQM и нагреваю, о т 3I и ч а ющ и Й с я гем, что, с целью повьпцения качества соединения, предвариT :.ëüIIñ BMEод разметают меж.;у пленьп
Kc " " из .":"":,, . . I > Б р2бо i .."pII2 пуан со=-а выполняю". по †.ос" . . раз,ером, соо тв--- г тру)г лим дия1II- ",0; вывода, IIßI" IIB валт егo JJQ 90 !00 0, 2 вы-.-.,)B, распо-. ла"" ю- D егo полости.
