Способ определения толщины нарушенного слоя на поверхности кристаллов

 

Изобретение относится к обработке кристаллов, может найти применение для определения толщины нарушенных слоев, образующихся при полировке кристаллов, и позволяет повысить точность определения толщины микронных и субмикронных слоев. Кристалл выдерживают в атмосфере активного газа при давлении до 1 Па в течение до 10 мин, затем подвергают травлению потоком ионов инертного газа с измерением толщины удаляемого слоя. В качестве активного газа используют газ из элементов, не входящих в состав кристалла и потока. В процессе травления осуществляют контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За толщину нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при котором концентрация составляет 10% от первоначальной. Достигают точности определения до 10 А.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51) 5 С 30 R 33/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ, ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР (46) 07. 07, 93. Бюл, К 25 (21) 4160051/26 (22) 12. 12,86 (72) Е.Д.Ковтун, Ю.Б.Полторацкий и А.Н,Проценко (56) Грешнякова Н.С, и др. Рентгенографический метод определения тал1 щины поликриста!шических деформированных слоев. — Сб. Аппаратура и методы рентгеновского анализа. JI Ма,шиностроение, 1978, с, 122-126.

Жукова Л.А. и др. Электронография !loBppõHocTHbIx c!foLB и пленок полупроводникавьгх материя;!ов. М.:

Металлургия, !971, с. 176. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛ111ИНЫ НАРУШЕННОГО СЛОЯ HA ПОВГРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к обработке криста.шов, может найти применение для определения толщины наИзобретение относится к обработке кристаллов, может найти применение для определения таз!шины нарушенных слоев, образующихся при пдлировке кристал:!ав.

Целью изобретения является повышение точности апреле!!ения толщины микранных и суб.!икронньгх слоев.

Пример. Криста!г!! CdS, обрябатянный ионной полировкой аргоном с энерп ей 5 кэВ, помещают в установ" ку, садержап!ую вакуумную камеру, ионную пушку и масс-спектрамстр, Камеру заполняют активным газом, кислородом, до давления 10 Пя и выдерживают кристалл в э тай атмосфере 10 мин, „„SU„„3455786 рушенных слоев, образующихся ггр«полировке кристаллов, и позволяет повысить точность определен«я то!!гп!!ны микронных и субмикронных слоев. Криста.ш выдерживает в атмосфере активного газа при давлении да 1 Па в течение до 10 мин, затем подверга!от травлению потокам ионов инертного газа с измерением толщинь! удаляемого слоя.

В качестве активного газа исггал!.зуют газ из элементов, не входящих в состав .кристалт!а и погска. В процессе травления осутествт!яю.;. контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За толщину нарушенного с!гоя принимают толщину удаленного слоя, при котором ко!пгентряция составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности опрео деления до 1О А, 2

Затем в камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с эн ргией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см . В працессе травления осуществляют массспектраметрический контроль конце«рации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют галщину удаленного слоя, При -,o!íï«íå удаленного слоя, равной 80 А, фиксирукгт уменьше!!ие концентрации кислорода дс 107 от первона !а!!ьной величины. Исходя из о этого величину 80 А принимают зя толщину нарушенного поверхностного слоя. Достигают точности ее определения в 10 А. 51Я

Способ по изобретению позволяет повысить точность определения толпцлны повериностного слоя по сравнению со способом-прототипом в 10 раз.! ". !Р tf яия о 11!!!!!!I,l ми) повн у и <Формул а изобретения

Составитель В. Безбородова

Техред Л.Сердюкова

1!01. р2к тор 1,Похо

Редактор 3.Ходакова

Заказ 2832 Тир а3с !1алписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытия; лри ГКНТ СС< Р

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. . /С

Производственно-издательский комбинат Патент", г.ужгор< д, v ;. 1 яга1п на, 11> I

Способ определения толщины нарупенного слоя на поверхности кристаллов, включающий травление, измерение толщины удаляемого слоя и контроль степени дефектности структуры поверхности, о т л и ч а ю щ и И с я тем, что, с целью повышения точности опмикронных слоев, кристалл предварительно н д рживают в атмосфере активногоо газа, не входящего в состав б кристалла, IpH давлении 1 Па и времени ло 10 мин, в качестве травителя используют поток ионов инертного газа, контроль осуществляют по концентрации активного газа на псверхности кристалла, а эа толщину нарущенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при которой концентрация активного::-аэа составляет 107. от первоначальной.