Способ создания лазерноактивных f-2-центров в кристаллах фторида лития

Авторы патента:

Лобанов Б.Д.

Максимова Н.Т.

Симин Б.А.

C30B33 - Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B 31/00 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D 5/00)

C30B29/12 - галогениды

Способ создания лазерноактивных F^-₂-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -10⁸P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F^-₂-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240^oС.

Изобретение относится к способам повышения оптической и механической прочноаи монокристаллических материалов, используемых в лазерном гр1бороа|эоении, и поздоляет повысить механическую и лазерную прочность

Способ получения кристаллической кремниевой пленки // 1422957

Способ ориентирования монокристаллов // 1411357

Изобретение относится к исследованию монокристаллов и может быть использовано для кристаллографического ориентирования монокристаллов

Способ локального химического травления монокристаллических пластин марганец-цинковых ферритов // 1382056

Изобретение относится к приборостроению, электронике и радиоэлектронике, может быть использовано в технологических процессах локального травления и позволяет обеспечить анизотропность травления

Способ обработки монокристаллов кубической симметрии // 1365756

Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия // 1345688

Изобретение относится к отособу термообработки радиационно - поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия и позволяет улучшить структуру и оптические харааериаики кристаппов , Радиационно - поврежденные кристаллы нагревают со скоростью не более 2 с/ч до температуры на 3 - 5 с ниже температуры фазового перехода (Т )

Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита // 1345685

Монокристаллический лазерный стержень и способ его получения // 1345684

Изобретение относится к квантовой электронике

Способ получения монокристаллов фтористого натрия // 1319645

Способ получения активной среды из кристаллов фторида лития // 1316323

Способ получения щелочногалоидных кристаллов // 1431392

Изобретение относится к техно-, логни получения материалов для изготовления оптических элементов ИК- техники и позволяет упростить способ получения кристаллов и удалить из камеры .токсичные и агрессивные гйзы Способ получения щелочногалоидных кристаллов включает нагрев Исходного сьфья в герметичной кймере под давлением инертного газа 1-2 атм до расплавления, снижение давления инертного газа до 0,01-0, 2 атм и выращи- ;йание кристалла

Способ получения сцинтилляционного материала // 1429601

Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционного материала на основе щелочНо-галоидных монокристаллов , может быть использовано в химической промышленности и обеспечивает улучшение спектрометрических характеристик материала за счет снижения концентрации продуктов неполного сгорания органических примесей

Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия // 1412383

Изобретение относится к получению кристаллов для инфракрасной техники используемых в качестве оптических элементов о Обеспечивает увеличение предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств,

Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия // 1380293

Способ получения монокристаллов иодидов щелочных металлов // 1367547

Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов и способ его получения // 1362088

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, которые используют в сцинтилляционных счетчиках для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений

Способ получения активной среды из кристаллов фторида лития // 1316323

Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов // 1304442

Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод

Способ создания лазерноактивных центров окраски tl°va*99+ в кристаллах kcl-tl // 1271155

Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам создания лазерноактивных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах, и может быть использовано при изготовлении оптических элементов лазеров

Способ получения кристаллов дийодида ртути-hgj2 // 1179699

Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия и способ его получения // 2138585

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии