Устройство для дозирования парогазовой смеси

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

А1

„.SU„, 146571 (51)4 G 01 F 11/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Ф

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР н двтогском,к свидеткльстам (21) 3628815/24-10 (22) 25.07.83 (46) 15.03.89. Бюл. Р 10 (72) 3. Б. Сигалов; Н. И. Николайкин и Е. А. Ищенко (53) 532.14(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 805740, кл. Г 01 F 13/00, 1980.

Авторское свидетельство СССР

Р 240246, кл. G 01 F 11/00, 1967. (54) (57) УСТРОЙСТВО jIJM ДОЗИРОВАНИЯ

ПАРОГАЗОВОЙ СЮСИ, содержащее герметичный сосуд для жидкости с патрубком подачи газа и закрепленной внутри него с зазорами вертикальной. трубой, снабженной нагревателем и пат- .

Изобретение относится к технике дозирования парогазовых смесей и может быть использовано в полулроводниковой и микроэлектронной технологии.

Цель изобретения — повыпение точности дозирования.

На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство, Устройство для дозирования парогазовой смеси содержит герметичный сосуд 1 для жидкости с патрубком 2 подачи газа и закрепленной внутри него с зазорами вертикальной трубой 3, снабженной нагревателем 4, патрубком

5 отвода парогазовой смеси, выполненным иэ теплоизоляционного материала

6 температуры, причем натрубок:.:подачи газа выполнен в виде дискового барботера с перфорированной верхней частью диска 7, в дне сосуда выполнено углубление 8. рубком отвода парогазовой смеси, соединенным с ее верхней частью, о т— л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности дозирования в него введен датчик температуры, патрубок подачи газа выполнен в виде дискового барботера с перфорированной частью диска, нагреватель— в виде источника инфракрасного излучения, а труба — из теплоизоляционного материала, причем в дне сосуда выполнено углубление, в котором размещена труба, при этом внутри последней закреплены последовательно от дна сосуда барботер, нагреватель и датчик температуры, Устройство работает следующим об- Д разом.

При отсутствии подачи газа в патрубок 2 подачи газа жидкость (SiC1<), заполняющая часть объема сосуда 1 и ©Ъ патрубка 5 отвода парогазовой смеси, Щ прин пчает температуру окружающей среды, Датчик 6 температуры выдает виай электрический сигнал о действительной температуре SiClq, например 20 С, нагреватель 4 в это время отключен.

Газ (Н ) подаваемый в патрубок 2, выходит через перфорированную верхнюю часть диска 7 в виде ряда пузырьков, ф которые проходят через слой жидкости, насыщаясь парами SiC1 и выходят в

В д виде парогазовой смеси через патрубок

5. Расход SiCl < в патрубке 5 отвода парогазовой смеси компенсируется жидкостью, поступающей из сосуда 1 через зазор между углублением 8 и

Составитель В. Ермаков

Редактор А. Огар Техред N.Äèäûê Корректор М. Васильева

Заказ 933/41 Тираж 660 Подписное

ВНЯЛИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35 ° Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãîðîä, ул. Гагарина,101 з 14657 патрубком 5 при выравнивании давления в двух полостях. При этом уровень жидкости изменяется незначительно,,а высота столба жидкости, через которую барботирует газ, в основном on5 ределяется высотой углубления 8.

За счет испарения жидкости (SiC1 ) внутри трубы 3 и затрачиваемой при этом теплоты парообразов ания, температура жидкости здесь понижается со скоростью около 0,5 С/мин (при расходе газа порядка 200 л/мин и объеме жидкости в патрубке около 0,5 л), о достигая заданной, например 18 С,,за 3-4 мин. В момент достижения за-!

iäàííoé температуры по сигналу от ,|датчика 6 .температуры включается нагреватель 4. Падение температуры в О ! !

1 ( (10

4 объеме жидкости, заключенной в трубе

3 замедляется, а затем, нагреваясь, она вновь достигает заданной и нагреватель 4 отключается по сигналу от датчика 6 температуры. Простая система двухпозиционного регулирования с нагревателем в виде инфракрасной лампы (100 Вт, 12 В), обладающей минимальной инертностью, позволяет получить хорошую стабилизацию температуры SiC1 (+0,1 С) на уровне +18 С внутри трубы 3 при температуре SiC1 в сосуде 1 на уровне +20ОС.

Выполнение дна сосуда 1 с углублением 8 позволяет свести к минимуму остаточный объем жндкости, в котором накапливаются неконтролируемые микропримеси, влияющие на технологические процессы ..