Силовой полупроводниковый прибор
Силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой четырехслойной p-n-p-n-структуры, содержащий основную и вспомогательную структуры и разветвленный управляющий электрод основной структуры, при этом край эмиттера основной структуры зашунтирован по внутреннему периметру посредством дискретных поперечных шунтов базовых областей, отличающийся тем, что, с целью снижения перегрузки вспомогательной структуры и улучшения динамических параметров включения за счет снижения тока управления основной структуры, под управляющий электрод основной структуры введены выступающие из-под него дополнительные участки одноименного с эмиттером типа проводимости, отделенные от эмиттера и друг от друга базовыми областями так, что базовые области, разделяющие дополнительные участки, расположены на линии между двумя соседними поперечными шунтами, при этом количество и геометрические размеры разделительных полос и поперечных шунтов связаны следующим соотношением:
при L - a>D,
при I, I o - токи управления основной структуры с дополнительными участками и без них соответственно;
Nш - количество поперечных шунтов вдоль внутреннего периметра основного эмиттера;
N - количество разделительных базовых областей между дополнительными участками;
L - расстояние между поперечными шунтами;
D - ширина поперечного шунта;
l - расстояние от катодной металлизации до внутреннего края основного эмиттера;
h - ширина разделительных базовых областей между основным эмиттером и дополнительными участками;
a - ширина разделительных базовых полос между дополнительными участками.
