Способ получения металлических микромостиков
Способ получения металлических микромостиков, включающий электрохимическое травление металлического кристалла до образования узкого перешейка, соединяющего два массивных электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологических свойств микропроводников и уменьшения их размеров, перешеек расплавляют проходящим через него в режиме заданного напряжения током и выдерживают в расплавленном состоянии до уменьшения его размеров до заданной величины.
Похожие патенты:
Гибридный высокочастотный сквид // 1482485
Многодырочный объемный сквид // 1450684
Сверхпроводниковый регистр сдвига // 1445483
Точечный контакт джозефсона // 1436798
Способ получения сверхпроводящего материала // 1414251
Изобретение относится к изготовлению сверхпроводяпр х материалов Целью изобретения является расплтрение технических возможностей за счет увеличения твердости и прочности на сжатие сверхпроводящего материала
Сверхпроводниковый датчик постоянного тока // 1413685
Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и измерительной технике
Сверхпроводящий датчик постоянного тока // 1362372
Изобретение относится к криоэлектронным устройствам, позволяет повысить чувствительность и упростить изготовление измерительного устройства путем введения второго генератора накачки и промежуточного LC-контура, имеющего резонансную частоту, равную разности частот генераторов накачки
Изобретение относится к области твердотельных электронных приборов на основе квантовых эффектов
Многослойный материал // 2131157
Изобретение относится к переключаемому планарному высокочастотному резонатору и к планарному высокочастотному фильтру на его основе
Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов
Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах
Способ изготовления устройства на основе эффекта джозефсона и устройство согласно этому способу // 2212735
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике, а именно к способу изготовления устройства на основе эффекта Джозефсона
Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым эпитаксиальным наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано при реализации полупроводниковых приборов, работа которых основана на эффекте сверхпроводимости
Способ формирования периодических микроструктур на втсп пленках с джозефсоновскими свойствами // 2275714
Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании высокочувствительных датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля, применяемых в устройствах для регистрации магнитокардиограмм в медицине, геофизике, экологии, контроля парамагнитных примесей в нефтепродуктах и т.п
Изобретение относится к криогенной радиотехнике и может быть использовано для усиления электрических сигналов в гигагерцовом диапазоне частот