Устройство для контроля параметров силовых полупроводниковых приборов

 

1. Устройство для контроля параметров силовых полупроводниковых приборов, содержащее трансформатор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с первой клеммой для подключения испытуемого прибора, вторая клемма для подключения испытуемого прибора через последовательно соединенные шунт и ограничительный резистор подключена к второму выводу вторичной обмотки трансформатора, первый вывод вторичной обмотки трансформатора подключен к аноду формирующего тиристора, катод которого подключен к одному из выводов ограничительного резистора, к общей шине, и к одному из выводов первого резистора, второй вывод которого подключен к первому выводу второго резистора, второй вывод которого подключен к первому выводу вторичной обмотки трансформатора, вторая клемма для подключения испытуемого прибора подключена к первому входу измерителя, выход которого подключен к общей шине, второй вывод первого резистора соединен с первым входом компаратора, второй вход которого соединен с выходом источника опорного напряжения, первый вывод первичной обмотки трансформатора подключен к первому выходу блока пуска, второй выход которого подключен через третий резистор к аноду диода, катод которого подключен к второму выводу первичной обмотки трансформатора и к аноду пускового тиристора, катод которого подключен к второму входу блока пуска, а управляющий электрод пускового тиристора подключен к третьему входу блока пуска, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено измерителем динамического сопротивления, задатчиком кода динамического сопротивления, схемой сравнения и элементом ИЛИ, первый вход которого подключен к выходу компаратора, второй вход которого подключен к выходу схемы сравнения, а его выход подключен к управляющему электроду формирующего тиристора, первый вход компаратора подключен к первому входу измерителя динамического сопротивления, второй вход которого подключен к второй клемме для подключения испытуемого прибора, а его выход подключен к первому входу схемы сравнения, к второму входу которой подключен задатчик кода динамического сопротивления.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что измеритель динамического сопротивления выполнен в виде двух дифференциаторов, тактового генератора и аналого-цифрового преобразователя, причем тактовый генератор подключен к входу запуска аналого-цифрового преобразователя, вход первого дифференциатора подключен к первому входу компаратора, а его выход подключен к информационному входу аналого-цифрового преобразователя, вход второго дифференциатора подключен к второй клемме для подключения испытуемого прибора, а его выход к опорному входу аналого-цифрового преобразователя, выход которого подключен к первому входу схемы сравнения.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушающего контроля полупроводниковых материалов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано для измерения характеристик МДП-структур в процессе их производства

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх