Устройство для испытания силовых транзисторов

 

1. Устройство для испытания силовых транзисторов по авт.св. N 1128203 (п. 1), отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено двумя сглаживающими индуктивностями и ведомым инвертором со средней точкой, которая подключена к выходу от средней точки источника питания, положительный и отрицательный полюса которого соединены с первыми выводами соответствующих сглаживающих индуктивностей, вторые выводы которых соединены с соответствующими полюсами ведомого инвертора.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что источник питания выполнен в виде трехфазного входного трансформатора с магнитопроводом, вторичные обмотки которого соединены в звезду и подключены к мостовому выпрямителю с емкостным фильтром, средняя точка которого соединена с выводом от средней точки источника питания, а ведомый инвертор выполнен в виде трех трансформаторных обмоток, расположенных на магнитопроводе входного трансформатора источника питания, и соединены в звезду встречно вторичным обмоткам входного трансформатора источника тока и трех параллельных ветвей из двух последовательно соединенных тиристоров каждая, причем крайние точки ветвей подключены к соответствующим полюсам ведомого инвертора, а их средние точки соединены с вторыми выводами соответствующих трансформаторных обмоток.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электроники и вычислительной техники

Изобретение относится к способам измерения температуры тиристоров, используемым при производстве и эксплуатации мощных тиристоров

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых структур при их изготовлении, а также в процессе изготовления нолупроводниковых приборов на их основе

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх