Способ определения профиля концентрации примеси в полупроводниках и устройство для его осуществления

 

1. Способ определения профиля концентрации примеси в полупроводниках по авт.св.N 689423, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, освещают полупроводниковый образец со стороны прозрачного электрода немодулированным световым потоком с интенсивностью, равной сумме средних интенсивностей обоих модулированных световых потоков, и измеряют переменное напряжение фотоЭДС на тех же частотах, а при определении профиля концентрации примеси по переменному напряжению фотоЭДС из переменного напряжения фотоЭДС, измеренного при освещении образца модулированным световым потоком, вычитают переменное напряжение фотоЭДС, измеренное при освещении немодулированным световым потоком.

2. Устройство для определения профиля концентрации примеси в полупроводниках, содержащее световод, соединенный с полупрозрачным электродом, два генератора сигналов, соединенные с двумя источниками света, оптически связанными со световодом, проводящую опору для исследуемого полупроводника, соединенную с первым выходом генератора напряжения смещения, два селективных усилителя, выходы которых подключены к первым входам детекторов, блок регистрации, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, в него введены первый и второй управляемые источники питания светодиодов, смеситель, два фильтра нижних частот, фильтр верхних частот, повторитель, фазовращатель, делитель частоты, генератор развертки, блок управления, первая, вторая, третья и четвертая схемы выборки и хранения, первый и второй суммирующие усилители, причем детекторы выполнены синхронными, выход первого генератора сигнала соединен с первым входом первого управляемого источника питания светодиодов и первым входом смесителя, выход второго генератора сигнала соединен с первым входом второго управляемого источника питания светодиодов, с вторым входом смесителя и вторым входом первого синхронного детектора, полупрозрачный электрод световода соединен через фильтр нижних частот с входом повторителя, выход которого соединен с входом первого селективного усилителя и входом второго селективного усилителя, выход первого селективного усилителя соединен с первым входом первого синхронного детектора, выход второго селективного усилителя соединен с первым входом второго синхронного детектора, второй вход которого соединен с выходом смесителя, второй выход генератора напряжения смещения соединен с входом делителя частоты и входом фазовращателя, выход делителя частоты соединен с вторыми входами первого и второго управляемых источников питания светодиодов, а также с первым входом блока управления, выход фазовращателя соединен с вторым входом блока управления, с третьим входом которого соединен выход генератора развертки, первый выход блока управления соединен с первыми входами первой и третьей схем выборки и хранения, а второй выход соединен с первыми входами второй и четвертой схем выборки и хранения, выход первого синхронного детектора через первый фильтр нижних частот соединен с вторыми входами первой и второй схем выборки и хранения, выход второго синхронного детектора через второй фильтр нижних частот соединен с вторыми входами третьей и четвертой схем выборки и хранения, выход первой схемы выборки и хранения соединен с первым входом суммирующего усилителя, с вторым входом которого соединен выход второй схемы выборки и хранения, выход третьей схемы выборки и хранения соединен с первым входом второго суммирующего усилителя, с вторым входом которого соединен выход четвертой схемы выборки и хранения, выход первого суммирующего усилителя соединен с первым входом блока регистрации, выход второго суммирующего усилителя соединен с вторым входом блока регистрации, первый и второй светодиоды соединены с выходными клеммами первого и второго управляемых источников питания соответственно.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электроники и вычислительной техники

Изобретение относится к способам измерения температуры тиристоров, используемым при производстве и эксплуатации мощных тиристоров

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых структур при их изготовлении, а также в процессе изготовления нолупроводниковых приборов на их основе

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх