Способ получения полупроводниковых материалов
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКО
Подписная epynna № 4а
Н. А. Вульеиков, К. А. Большаков, П. И, Федоров и М. С. Цирлин
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
МАТЕРИАЛОВ
Заявлено 3 ноября 1961 г. за № 751103/23-4 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в <Бюллетене изобретений» ¹ 19 за 1962 r
Известен способ получения полупроводниковых материалов путем ввода шихты элементов в кварцевую ампулу, вакуумирования и нагрева ампулы до температуры синтеза, Однако при этом происходит взаимодействие элементов с материалом ампулы, что снижает чистоту конечного продукта.
Предлагаемый способ отличается тем, что шихту помещают в несколько тиглей, например, из корунда, графита, циркония, расположе ных таким образом, чтобы дно одного тигля служило крышкой друго -о.
Это позволяет получать более чистый продукт и проводить синтез несксльких полупроводниковых материалов в одной ампуле.
При осуществлении способа готовят шихту, содержащую взаимодействующие с 1 варцем элементы, Шихту размещают в цилиндрические тигли. Нижняя часть каждого тигля имеет внешний шлиф, а верхняя часть — внутренний шлиф. Тигли устанавливают таким образом, что дно верхнего тигля служит крышкой нижнего. Батарею, состоящего из трех-четырех тиглей с шихтой, помещают в кварцевую ампулу, после чего ампулу вакуумируют до разрежения, равного 10 — — 10 — и,и рi. ст. Ампулу запаивают и нагревают до температуры синтеза. Шлиф тиглей пропускает газ при откачке ампулы, но практическв он непроницаем для конденсирующихся паров и жидкости, так как капилляры шлифа быстро забиваются конденсатом.
При синтезировании из чистых компонентов сплавов системы
Ng — Si — Sb u Ng — Sn — Sb с длительной выдержкой при высоких температурах с применением виброперемешивания, на внутренней поверхности ампулы заметного взаимодействия кварца с парами магния нс обнаруживается.
Способ может быть применен для синтеза таких соединений, как фосфид индия и арсенид галлия.
I № 150495
Предмет и обретения
Способ получения полупроводниковых материалов путем ввода шихты элементов в кварцевую ампулу. вакуумирования и нагрева ампулы до температуры синтеза, отличающийся тем, что, с целью получения более чистого продукта и получения нескольких полупроводниковых материалов в одной ампуле, шихту помещают в несколько тиглей, например, из корунда, графита, циркония, расположенных таким образом, чтобы дио одного тигля служило крышкой другого.
Редактор А. К Лейкина Техред Т, П. Курилко Корректор В. Н Никитина
Подп. к печ. 24.Vill-62 г. Формат бум. 70Х IOSi/1а Объем 0 IS изд л.
За к 8608 Тираж 500 Цена 4 коп.
ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытии при Совете Министров СССР
Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.
Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14.
