Способ получения монокристаллов антрацена

 

Класс 12с, 2

121, 33 № 121438

СССР

Iw:1 1л

) )

t iс :i., °: .,5 )1р

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Б. С. Александров и H. Н. Спендиаров

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТРАЦЕНА

Заявлено 14 ноября 1958 г. за № 612222j23 в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Опубликовано в <Бюллетене изобретений» № 15 за 1959 г.

Известно, что среди органических сцинтилляторов наиболее важным является антрацен. Получение монокристаллов антрацена сопряжено со значительными трудностями, так как антрацен на свету в присутствии кислорода взаимодействует с последним, образуя разнообразные трудноотделимые продукты окисления, некоторые из которых, в частности антрахинон, являются тушителями люминесценции, а следовательно, и сцинтилляционного эффекта.

Описываемый способ получения монокристаллов из расплава с предварительной очисткой исходного сырья позволяет получить чистые кристаллы с хорошими сцинтилляционными свойствами.

С этой целью дополнительную очистку и выращивание кристаллов производят в одной ампуле.

Ампула представляет собой стеклянную трубку, переходящую в капилляр, где образуется монокристаллическая затравка. После загрузки очищенного антрацена в ампулу, последняя вакуумируется и заполняется азотом или аргоном. В процессе очистки примеси оттесняются в сторону отпайки шейки ампулы, после чего ампула переворачивается капилляром вниз, очищенное вещество оседает и начинается процесс выращивания монокристалла в зонной печи.

Рост монокристалла происходит на границе центрального и нижнего нагревателей печи, а загрязненная примесями часть антрацена находится в зоне верхнего нагревателя печи и остается в твердом состоянии.

По другому варианту часть ампулы, в которой находится загрязченный антрацен, может быть отпаяна.

Описанный способ может быть применен для получения монокристаллов и из других веществ, трудноочищаемых от примесей. № 121438

Предмет изобр етения

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор А. К, Лейкина Гр. 39, 45

Подп. к печ. 4Х1-59 г.

Тираж 820 Цена 25 коп.

Информационно-издательский отдел.

Объем 0,17 и. л. Зак. 3893 1 ппография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Петровка 14.

Способ получения монокристаллов антрацена из расплава с предварительной очисткой исходного сырья, от л и ч а ю щи и с я тем, что, с целью получения чистых кристаллов с хорошими сцинтилляционными свойствами, дополнительную очистку и выращивание кристаллов производят в одной ампуле.

Способ получения монокристаллов антрацена Способ получения монокристаллов антрацена 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к получению монокристаллических тиоиндатов щелочных металлов структуры АIBIIICVI 2, в частности монокристаллов соединения LiInS2, используемого в лазерной технике в качестве преобразователя излучения

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике

Изобретение относится к технологии взрывчатых веществ (ВВ) и может быть использовано в детонаторах и других взрывных устройствах, использующих процесс перехода горения ВВ во взрыв

 // 415040

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, конкретно органических кристаллов особо чистых веществ, и позволяет повысить сте пень чистоты кристаллов и увеличить производительность процесса

Изобретение относится к технологии выращивания молекулярных кристаллов , которые могут быть использованы в квантовой электронике, нелинейной оптике

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов гидрофталата натрия, которые могут использоваться в рентгеновском приборостроении и пьезотехнике, обеспечивает увеличение размеров кристаллов при сохранении их однородности
Наверх